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典型的静电电压
静电电荷源
测得的电压(V)
10%--20%RH
65%--90%RH
走过地毯
35000
1500
在聚烯烃类塑料地面行走
12000
250
工作台旁操作的工人
6000
100
翻动聚乙烯膜封皮的说明书
7000
600
从工作台拾起普通聚乙烯袋
20000
1200
垫有聚氨酯泡沫的工作椅
18000
1500
Date
8
部分元器件的击穿电压范围
器件类型
静电破坏电压(V)
器件类型
静电破坏电压(V)
VMOS
30-1800
运算放电器
190-2500
MOSEET
100-200
JEFT
140-1000
GaAsFET
100-300
SCL
680-1000
PROM
100
STTL
300-2500
CMOS
250-2000
DTL
380-7000
HMOS
50-500
肖特基二极管
300-3000
E/DMOS
200-1000
双极型晶件管
380-7000
ECL
300-2500
石英压电晶体器件
<10000
Date
9
由上表可以看出在电子产品的实际生产和运输、存储等流转过程中所产生的静电电压远远超过其阈值。为此,往往在电子产品的流转过程中,器件就会因为某一个过电压而产生硬(或软)击穿现象,使之失效或严重影响产品的可靠性。
Date
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电子器件损失统计
电子工业的ESD(静电放电)问题往往不会造***员的伤亡,不容易引起人们的重视,但其所造成的经济损失缺远远超过ESD爆炸燃烧事故所带来的损失。据不完全统计,我国每年静电造成电子行业直接经济损失超过了10亿元人民币。
StephenHalperin曾在文章——《GuidelinesforStaticControlManagement》中指出,因静电造成的电子产品的平均损坏率为8%~33%。
Date
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有关单位对上海市多家电子企业的调查表明,MOS器件的4%~10%左右,是因ESD而失效的。
静电造成的电子产品的平均损坏率:
部门
平均损坏率(%)
制造厂
16~27
承销商
8~4
用户
27~33
Date
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——共有1740次未出厂产品的维修记录,器件损坏原因的有868例,其中SSD损坏的有306例,%。主要损坏的SSD有光耦、晶振、ARM、DSP、液晶屏及其他集成电路,主要损坏的半成品有主板、波形板、VFD显示板、ARM板、DSP板、电源驱动板、功率板、测控板等。
Date
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静电在电子工业中的危害
静电对元器件损害的形式:
静电吸附灰尘,降低元件绝缘电阻(缩短寿命)。
静电放电破坏,使元件受损不能工作(完全破坏)。
静电放电电场或电流产生的热,使元件受伤(潜在损伤)。
静电放电产生的电磁场幅度很大(达几百伏/米)频谱极宽(从几十兆到几千兆),对电子产品造成干扰甚至损坏(电磁干扰)
Date
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静电对器件击穿的形式:
(1)硬击穿:元器件功能完全损坏,失去功能。
(2)软击穿:有些静电敏感器件遭至静电轻微击伤后不易发现,只有经过多次周转,甚至已随电子产品投入正式使用后,才会发现这种轻微的击伤现象称之为软击穿。软击穿不进行全面测试是发现不了的,在一定条件下会导致器件的失效,后果比硬击穿更为严重。
Date
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静电对电子产品损害特点
(1)隐蔽性
人体不能直接感知静电除非发生静电放电,但是人体感知的静电放电电压为2-3KV
(2)潜在性
有些电子元器件受到静电损伤后短时间内性能可能没有明显的下降。
Date
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