文档介绍：晶体管概述
晶体管简介
晶体管分半导体二极管、晶体三极管两大类。
半导体二极管分:
1:整流二极管,广泛应用于电源电路中
2:检波二极管,应用于微波接收电路中
3:开关二极管,主要用于电子计算机和各种自动控制系统
4:稳压二极管,利用PN结的齐纳击穿特性制作
晶体三极管分:
1:双极型晶体管,两种载流子(空穴和电子)同时参与导电
双极性晶体管是一种电流控制器件,有NPN、PNP两种结构形式。它由三个区域(发射区E、基区B、集电区C)构成,分别称为发射极、基极、集电极。双极型晶体管有两个PN结,分别称为发射结和集电结。
2:场效应晶体管,只有一种载流子(空穴或电子)参与导电,故又称单极晶体管。
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PN结及半导体二极管
PN结的形成
N型半导体在室温下是带负电的电子和带正电的施主离子。
P型半导体在室温下是带负电的受主离子和带正电的空穴。
N型半导体中磷原子在硅晶体中给出一个多余的电子,,故称为受主杂质或P型杂质
P型半导体和N型半导体结合后如图所示:
P型半导体和N型半导体结合后,在他们的交接处就出现了电子和空穴的浓度差别,N型区内电子很多而空穴很少,P型区则相反。这样,电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散,扩散的结果就使P区和N区中原来的电中性条件破坏了。
半导体中的离子由于物质结构的关系,不能任意移动,因此不参与导电,他们就在P区和N区交界面形成一个空间电荷区(PN结)。空间电荷区又可看作是一个阻挡层,它对多数载流子的扩散有阻挡作用。
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PN结的单向导电性
1: 外加正向电压
外加电压正端接P区,,PN结的平衡状态被打破,P区的空穴和N区的电子都向PN结移动,与PN结的原有离子产生中和作用,结果使PN结变窄,电阻减小,所以这个方向的外加电压称为正向电压.
2:外加反向电压
外加电压正端接N区,,P区的空穴和N区的电子都将进一步离开PN结,使阻挡层厚度加宽.
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由此可见,PN结的正向电阻很小,反向电阻很大,,PN结具有单向导电性的关键是它的阻挡层的存在及其随外加电压而变化.
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PN结的反向击穿
加到PN结两端的反向电压增大到一定数值,反向电流突然增加,这个现象称为PN结的反向击穿
VBR称为反向击穿电压
PN结电击穿后电流很大,电压很高,容易使PN结发热超过它的耗散功率而过渡到热击穿。
这时PN结的电流和温升之间出现恶性循环,从而很快使PN结烧毁。