文档介绍：第卷第期《陶瓷学报》...
年月.
文章编号:———
对一系统玻璃结构和介电性能的影晌
何璇杜振波,。范尚青。曾人杰
.厦门大学材料学院,福建厦门;.福建省特种先进材料重点实验室,福建厦门;
.厦门百嘉祥微晶材料科技股份有限公司,福建厦门
摘要
采用烧结法制备添加。的—。系统以下简称系统微晶玻璃,借助傅立叶变换红外光谱仪、拉
曼光谱分析仪、射线衍射、热膨胀仪和惠普自动电桥首次研究添加对系统玻璃结构、微晶化、热
膨胀系数以及介电损耗和介电常数的影响。结果表明:添加量在—..%范围内,。可以较显著的延缓该系
统玻璃的析晶,并显著降低和;随着加入量的增加,/呈现先减小再增大后减小的趋势,并可能促使更多的
进入玻璃结构中,、】和孤立硼基团数量均呈现先增大后减小的趋势,当含量为..%时基团数量达到最大,且
此时出现极大值。
关键词稀土;无铅;低熔点;析晶
中图分类号:. 文献标志码:
前言于玻璃本身结构不致密、松散,存在弱联系离子,导致
介电损耗较大,在实际应用中不利,且当玻璃作为电
国内外生产的高热膨胀系数,×/℃、低介质使用时,会因极化使部分电能转化为热能而出现
软化温度,℃和高电阻率,·微晶封接玻介电损耗;孙的极化率甚大,在系统玻璃
璃中均含铅【,而铅有毒,欧盟如“”指令和中含量又很高,导致该系统玻璃会具有较大的介电损
各国均颁布法令中国于年月日开始实施耗,而目前对系统玻璃介电性能研究的文献
《电子信息产品污染控制管理办法》严格限制含铅很少,因此大大限制该系统玻璃在电子领域的应用;
产品在电子电气领域中的使用,无铅化趋势已可以通过添加一些半径大的网络外体离子,填充在网
势不可挡。目前微晶玻璃在电子材料中的应用越来越络空隙中,限制离子的迁移,从而降低玻璃的介电损
广,其对介电常数的大小有较宽的要求,当应用在电耗】。
子电路基片上时要求其具有低的介电常数,而当应用在所著的中
电容器时则要求其具有较高的介电常数,因此若能获列举的常见的作为网络外体的氧化物中,除族和
得较宽的介电常数将会进一步扩大其应用范围。Ⅱ族氧化的氧、,其他的
富含氧化铋。的无铅微晶封接玻璃可同时可作为网络外体的氧化物中,或因其价格昂贵、或具
具有高仪、低、高,是取代富含铅封接玻璃的最有放射性捌或危害环境和人体㈣、、
佳选择。硼酸盐玻璃易获得低,在玻璃系统中引凋和坷等原因,只有、和是
入离子斯于获得高哇卿率,因。.。能作为工业生产的网络外体氧化物;但含:的玻
系统以下简称系统玻璃是目前无铅化趋势下璃不高,不适合用于需要高的玻璃。而在玻
极噪的封接玻璃体系,吸引了较多关注。但由璃中半径又较大,在玻璃结构中更不易迁
收稿日期:——
基金项目:中国国家重点基础研究发展计划编号:
通汛联系人:曾人杰,:..
《陶瓷学报年第期
移,在降低介电损耗方面应有更加显著的作用。仪得测试范围~,特别指出的除外。用
。是产量最多的稀土元素化合物『,而稀土惠普自动电桥,美国测试样品的介电常
氧化物在玻璃中的含量往往很少,却起着十分重要的数和介电损耗温度:±,频率:
作用Ⅱ;且本文研究的玻璃主要作为工程材料,对。
。纯度要求不高;可采用一些含铋的稀土尾矿进
行生产,既降低了成本,又对稀土综合利用、