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文档介绍

文档介绍:SDRAM时序
SDRAM :同步动态随机存储器。
同步是指其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同,且内部的命令发送和数据的传输都以它为基准;动态指存储阵列需不断的刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据的读写。

平时我们看到的SDRAM都是以模组形式出现的,为什么要做成这种形式呢?首先介绍一些有关SDRAM外观的基本概念。
Bank (Physical Bank):内存总线等同于CPU数据总线的位宽。单位为Bit。简称P- Bank。
注意: P- Bank是SDRAM及以前传统内存特有的概念,在RDRAM中以Channel取代。
:每个传输周期能提供的数据量。(存储单元的容量)
小结: P- Bank其实就是一组内存芯片的集合。这个集合的容量不限,但是这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。
:Double In-line Memory Module,双列内存模组。模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚。
DIMM是SDRAM集合形式的最终体现,每个DIMM至少包含一个P- Bank的芯片集合。

(Logical Bank):存储阵列。
(SDRAM内存芯片传输一次的数据量):存储单元的容量。
:
存储单元数量=行数*列数*L-Bank的数量
=M(存储单元的总数)*W(每个存储单元的容量)


:在SDRAM内部有一个LCU,并且有一个模式寄存器(MR)为其提供控制参数。因此,每次开机时SDRAM都要先对这个控制逻辑核心进行初始化。初始化的过程包括:200us的输入稳定周期,预充电(Precharge),刷新(Refresh)周期和模式寄存器的设置(Mode Register Set,MRS)。其中MRS由北桥芯片在BIOS的控制下进行,寄存器的信息由地址线提供。
:
初始化完成后,要对一个L-Bank中的阵列进行寻址,首先要确定行(Row),使之处于活动状态(Active),然后再确定列。在这个过程中,片选和L-Bank的定址与行有效同时进行。

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