文档介绍：谈到Nand Flash的数据存储方式,关于NAND Flash的数据读写方法方面的文章不多,这篇文章详细讲述了Nand Flash数据存储方式和数据读写方法,并用具体的芯片为例作了详细的解释。
NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page,(Nand Flash 有多种结构,我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Byte,每32 个page 形成一个Block, Sizeof(block)=16kByte 。1 block=16kbyte,512Mbit=64Mbyte,Numberof(block)=4096 1block=32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)
Nand flash 以页为单位读写数据,而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址: --Block Address -- Page Address --Column Address 。
对于NAND Flash 来讲,地址和命令只能在I/O[7:0]上传递,数据宽度是8 位。
512byte需要9bit来表示,对于528byte系列的NAND,这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由地址指针命令来选择,A[7:0]就是所谓的column address。32 个page 需要5bit 来表示,占用A[13:9],即该page 在块内的相对地址。Block的地址是由A14 以上的bit 来表示,例如512Mb 的NAND,共4096block,因此,需要12 个bit 来表示,即A[25:14],如果是1Gbit 的528byte/page的NAND Flash,则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为: Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。由于地址只能在I/O[7:0]上传递,因此,必须采用移位的方式进行。例如,对于512Mbit x8 的NAND flash,地址范围是0~0x3FF_FFFF,只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR 为例:
第1 步是传递column address,就是NAND_ADDR[7:0],不需移位即可传递到I/O[7:0]上,而halfpage pointer 即bit8 是由操作指令决定的,即指令决定在哪个halfpage 上进行读写。而真正的bit8 的值是don't care 的。
第2 步就是将NAND_ADDR