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InN纳米线反常输运性质研究的中期报告.docx

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上传人:niuww 2024/3/27 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【InN纳米线反常输运性质研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【InN纳米线反常输运性质研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。InN纳米线反常输运性质研究的中期报告本研究旨在探索氮化铟(InN)纳米线的反常输运特性。本报告为研究中期报告,总结了目前的研究进展和结果。首先,我们通过化学气相沉积法成功合成了InN纳米线。通过扫描电镜和透射电子显微镜的观察,我们发现InN纳米线的直径约为30-50纳米,长度几乎达到了5微米。此外,X射线衍射结果显示InN纳米线具有优良的晶体结构。接着,我们进行了电学测试,并发现InN纳米线的电阻率随温度的升高呈现负温度系数(NTC)效应。此现象可以通过Mott电阻模型、浅施主模型以及有机薄膜机理解释。我们也注意到,在高温下,电导率不再呈现NTC特性,而呈现出正常的电导行为。最后,我们进行了场效应晶体管测试,并观测到了反常的门电流(ID-VG)曲线。这也表明InN纳米线具有非常特殊的输运特性,可以作为新型电子器件的基础材料。总之,我们的研究结果表明InN纳米线具有反常输运特性,并有望在电子器件和传感器中发挥重要作用。未来我们将继续探索InN纳米线的物理特性和优化其应用性能。