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巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性分析的综述报告.docx

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巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性分析的综述报告.docx

上传人:niuwk 2024/4/15 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性分析的综述报告 】是由【niuwk】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性分析的综述报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性分析的综述报告巨磁阻材料是一种特殊的磁性材料,具有极高的磁阻比(GMR)和磁阻率(TMR)。在巨磁阻材料中,磁阻率的改变主要是由于电子的自旋极化与磁性原子之间的相互作用。然而,巨磁阻现象不仅与材料的化学成分和晶粒结构有关,还与材料的电子结构与磁性原子之间相互作用的方式有关。因此,对巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性的研究具有重要的理论和应用价值。一、巨磁阻材料的p-n结巨磁阻材料的p-n结通常是由两种不同巨磁阻材料构成。其中,一种材料的磁性自旋极化方向垂直于二维平面,而另一种材料的自旋极化方向则平行于二维平面。这种结构可以实现在外加磁场下,使巨磁阻比的变化最大化。此外,由于p-n结的结电位,可以实现电子的注入和抽出,从而实现对巨磁阻效应的调控。二、,电阻随着外加磁场的变化而发生的变化。巨磁阻比越大,即材料的电阻变化越大,越容易被外加磁场控制,在磁存储和磁传感器等领域具有广泛的应用。巨磁阻比可由以下公式计算:GMR=(R_H-R_L)/R_L其中,R_H和R_L分别为垂直于磁化方向的电阻和平行于磁化方向的电阻。,电导率的变化率。磁阻率一般用α表示,其计算公式为:α=(dσ/dH)/σ其中,σ为磁场为0时的电导率,dσ/dH为电导率对磁场的导数。在巨磁阻材料中,巨磁阻效应与磁阻率密切相关,通常后者的变化范围比前者大。因此,磁阻率是一种更加直观的表征巨磁阻材料特性的指标。。在巨磁阻材料中,自旋极化可改变电子的态密度和输运性质,从而影响电阻的大小。总之,巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性是磁存储、磁传感器等领域的研究热点。通过研究巨磁阻材料的p-n(n-p)结及其特性,可以为巨磁阻材料在应用中的性能提高提供理论基础和技术支撑。

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