电子技术基础模拟部分第五版第四章.ppt

文档介绍：半导体三极管(BJT)
共射极放大电路
放大电路的分析方法
放大电路静态工作点的稳定问题
共集电极和共基极放大电路
组合放大电路
放大电路的频率响应
4 半导体三极管及基本电路
1
BJT的结构简介
半导体三极管(BJT)
放大状态下BJT的工作原理
BJT的特性曲线
BJT的主要参数
温度对BJT参数及特性的影响
2
三极管(Bipolar Junction Transistor)图片
§ BJT的结构简介
3
§ BJT的结构简介
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
P
N
P
集电极
基极
发射极
B
C
E
PNP型
4
B
E
C
NPN型三极管
B
E
C
PNP型三极管
三极管符号
N
P
N
C
B
E
P
N
P
C
B
E
§ BJT的结构简介
5
发射结
集电结
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
+ + + + + + + + + +
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + + +
§ BJT的结构简介
6
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
基区(base) :较薄,掺杂浓度低
集电区(collector) :面积较大
发射区(emitter) :掺
杂浓度较高
§ BJT的结构简介
7
集电结外加反压
发射结外加正压
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
由于基区掺杂浓度很低,基区空穴向发射区的扩散电流可忽略。
IBE
进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。
发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。
§ 放大状态下BJT的工作原理
BJT起放大作用的条件:内部条件和外部条件
1. BJT内部载流子的传输过程
8
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
集电结反偏,有少子形成反向电流ICBO。
ICBO
IC=ICE+ICBOICE
IBE
ICE
从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。
§ 放大状态下BJT的工作原理
9
IB=IBE-ICBOIBE
IB
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
ICBO
ICE
IC=ICE+ICBO ICE
IBE
反向饱和电流ICBO,这个电流对放大没有贡献
动画演示
§ 放大状态下BJT的工作原理
10