文档介绍：第3章 CMOS反相器
第3章 CMOS反相器的分析与设计
CMOS反相器的结构和基本特性
CMOS反相器的直流特性
CMOS反相器的瞬态特性
CMOS反相器的设计
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CMOS反相器的结构和基本特性
NMOS管的衬底接地,PMOS管的衬底接VDD。
输入端——栅极
输出端——?极
如何判断分析器中NMOS和PMOS器件的源漏区?
是否有衬偏效应?
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CMOS Inverter
特点:
Vin作为PMOS和NMOS的共栅极;
Vout作为共漏极;
VDD作为PMOS的源极和体端;
GND作为NMOS的源极和体端
V
V
in
out
反相器的逻辑符号
CMOS反相器的结构和基本特性
若输入为“1”(Vin= VDD):
VGSN = VDD , VGSP = 0V
NMOS导通,PMOS截止
输出“0”(Vout = 0V)
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CMOS反相器的结构和基本特性
若输入为“0”(Vin = 0V):
VGSN = 0V, VGSP=-VDD
NMOS截止,PMOS导通
输出“1”(Vout = VDD)
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CMOS反相器的结构和基本特性
无比电路
数字电路中作为开关使用(导通电阻、截止电阻)
NMOS——下拉开关, PMOS——上拉开关
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CMOS反相器的直流特性
直流电压传输特性
直流转移特性
直流噪声容限
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CMOS反相器的直流电压传输特性
输出电平与输入电平之间的关系:直流电压传输特性(VTC)
NMOS与PMOS可以同时导通:
并始终有如下关系:
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CMOS反相器的直流电压传输特性
Vin=VTN的垂直线:NMOS截止/导通
Vin=VDD+VTP的垂直线:PMOS导通/截止
Vin-VTN=Vout的斜线:NMOS饱和区/线性区
Vin-VTP=Vout的斜线:PMOS线性区/饱和区
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