文档介绍：模拟电子技术基础第四版课后****题答案-副本

第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1 )在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型
半导体。( )
(2 )因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( )
(3 )PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( )
(4 )处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( )
(5 )结型场效应管外加的栅- 源电压应使栅- 源间的耗尽层承受反向电
压,才能保证其 R G S 大的特点。( )
(6 )若耗尽型 N 沟道 MO S 管的 UG S 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )
解:(1 )√(2 )× (3 )√(4 )× (5 )√(6 )×
二、选择正确答案填入空内。
(1 )PN 结加正向电压时,空间电荷区将。
A . 变窄 B . 基本不变 C . 变宽
(2 )设二极管的端电压为 U ,则二极管的电流方程是。
A . I S e U B . I eU UT C . I eU UT -1
S S
(3 )稳压管的稳压区是其工作在。
A . 正向导通 B . 反向截止 C . 反向击穿
(4 )当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A . 前者反偏、后者也反偏
B . 前者正偏、后者反偏
C . 前者正偏、后者也正偏
(5 )UG S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A . 结型管 B . 增强型 MOS 管 C . 耗尽型 MOS 管
解:(1 )A (2 )C (3 )C (4 )B (5 )A C
第一章题解-1
。
四、已知稳压管的稳压值 UZ =6V ,稳定电流的最小值 I Z m i n =5mA 。求
图所示电路中 UO 1 和 UO 2 各为多少伏。
图
解:UO 1 =6V ,UO 2 =5V 。
第一章题解-2
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示,其集电极最大耗散功率
P C M =200mW ,试画出它的过损耗区。
图 T 1. 5 解图 T1. 5
解:根据 P C M =20 0mW 可得:UC E =40 V 时 I C =5mA ,UC E =30V 时 I C
≈6. 6 7m A ,UC E =20V 时 I C =10m A ,UC E =10V 时 I C =20 m A ,将各点连接成
曲线,即为临界过损耗线,如解图所示。临界过损耗线的左边为过损耗
区。
六、电路如图所示,VC C =15V ,β=100 ,UB E = 。试问:
(1 )R b =50k Ω时,u O =?
(2 )若 T 临界饱和,则 R b ≈?
解:(1 )R b =50k Ω时,基极电流、集
电极电流和管压降分别为
V ?U
I BB BE 26 μA
B
R
b
I C β I B
U V ?I R 2V
C C
所以输出电压 UO =UC E =2V 。图 T1 .6
(2 )设临界饱和时 UC E S =UB E = ,所以
V ?U
CES
C
R
c
I
I B C
β
V ?U
R BB BE ≈?
b
I
B
第一章题解-3
MOS 管的三个电极的电位如表所示,
它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态截止区、恒流区、可变电
阻区),并填入表内。
表
管号 U ( )/V US /V UG /V UD /V 工作状态
G S t h
T 1 4 -5 1 3
T2 -4 3 3 10
T 3 -4 6 0 5
解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型 MOS 管。根据
表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表所示。
解表
管号 U ( )/V US /V UG /V UD /V 工作状态
G S t h
T 1 4 -5 1 3 恒流区
T2 -4 3 3 10 截止区
T 3 -4 6 0 5 可变电阻区<br****题
1 . 1 选择合适答案填入空内。
(1