文档介绍：第五章 场效应管放大电路
耗尽型:场效应管没有加偏置电压时,就有导电沟道存在
增强型:场效应管没有加偏置电压时,没有导电沟道
P沟道
耗尽型
P沟道
P沟道
N沟道
增强型
N沟道
N沟道
(耗尽型)
FET
场效应管
JFET
结型
MOSFET
绝缘栅型
(IGFET)
场效应管的分类:
场效应管
场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有自由电子导电的N沟道器件和空穴导电的P沟道器件。
按照场效应三极管的结构划分,有结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。
金属-氧化物-半导体场效应管
绝缘栅型场效应管Metal Oxide Semiconductor
—— MOSFET
分为增强型 N沟道、P沟道
耗尽型 N沟道、P沟道
增强型: 没有导电沟道,
耗尽型: 存在导电沟道,
N沟道 P沟道
增强型
N沟道 P沟道
耗尽型
金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
N沟道增强型MOSFET
MOSFET的主要参数
N沟道耗尽型MOSFET
P沟道MOSFET
沟道长度调制效应
N沟道增强型MOSFET
1. 结构(N沟道)
L :沟道长度
W :沟道宽度
tox :绝缘层厚度
通常 W > L
N沟道增强型MOSFET
剖面图
1. 结构(N沟道)
符号
N沟道增强型场效应管
动画演示mosfet场效应管结构
N沟道增强型场效应管的工作原理
(1)栅源电压VGS的控制作用
当VGS=0V时,因为漏源之间被两个背靠背的 PN结隔离,因此,即使在D、S之间加上电压, 在D、S间也不可能形成电流。
当 0<VGS<VT (开启电压)时,通过栅极和衬底间的电容作用,将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥,同时,使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层,并与空穴复合而消失,结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通,处于截止状态。