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2. MOS工艺
3. BiMOS工艺
202X
集成电路制造工艺分类
§1-1 双极型集成电路工艺 (典型的PN结隔离工艺) (P1~5)
202X
商务工作通用模板
工艺流程
P-Sub
添加标题
1
衬底准备（P型）
添加标题
2
光刻n+埋层区
添加标题
3
氧化
添加标题
4
n+埋层区注入
添加标题
5
清洁表面
添加标题
6
工艺流程（续1）
生长n-外延
Sub
隔离氧化
p+隔离注入
光刻p+隔离区
N+
p+隔离推进
N+
光刻硼扩散区
P-Sub
N+
N+
N-
N-
P+
P+
P+
硼扩散
氧化
工艺流程（续2）
光刻磷扩散区
磷扩散
氧化
P-Sub
N+
N+
N-
N-
P+
P+
P+
P
P
工艺流程（续3）
光刻引线孔
清洁表面
P-Sub
N+
N+
N-
N-
P+
P+
P+
P
P
工艺流程（续4）
蒸镀金属
反刻金属
P-Sub
N+
N+
N-
N-
P+
P+
P+
P
P
工艺流程（续5）
钝化
P-Sub
N+
N+
N-
N-
P+
P+
P+
P
P
光刻钝化窗口
后工序
工艺流程（续6）
埋层区
隔离墙
硼扩区
磷扩区
引线孔
金属连线
钝化窗口
GND Vi Vo VDD
T
R
光刻掩膜版汇总