文档介绍：
半导体是一种导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,独特性能就是因为它的电阻率因温度、搀杂、和光照会产生显著变化。
一般利用半导体材料制成的半导体器件都是晶体结构,所以称之为晶体管(二极管、三极管)。
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
第五部分
电极数目
半导体材料和极性
晶体管类别
晶体管序号
区别代号
1、二极管(晶体管)的命名方法
国内晶体二极管(三极管)型号的命名方法
第一部分
第二部分
第三部分
电极数目
字母
意义
字母
意义
字母
意义
2
A
N型,锗材料
P
普通型
D
低频大功率(<3MHZ,>1W)
B
P型,锗材料
V
微波管
A
高频大功率(>3MHZ,>1W)
C
N型,硅材料
W
稳压管
T
晶体闸流管(可控整流器)
D
P型,硅材料
C
参量管
Y
体效应器件
A
PNP型,锗材料
Z
整流管
B
雪崩管
3
B
NPN型,锗材料
L
整流堆
J
介跃恢复管
C
PNP型,硅材料
S
隧道管
CS
场效应器件
D
NPN型,硅材料
N
阻尼管
BT
晶体特殊器件
E
化合物材料
U
光电器件
PIN
PIN型管
K
开关管
PH
复合管
 
X
低频小功率(<3MHZ,<1W)
JG
激光器件
 
G
高频小功率(>3MHZ,<1W)
2AP4: 2二极管,A:N型锗材料,P普通管,9序号
2CK54: 2二极管,C:N型硅材料, K开关管,54序号
3AX81: 3三极管,A:PNP型锗材料,X低频小功率,81序号
3DD303C: 3三极管,D:NPN型硅材料,D低频大功率,303序号,C区别代号
:
二极管结构与电路符号
①整流二极管:面接触型,因为PN结面较大,能承受较大的正向电流和高反向电压,性能比较稳定。采用金属封装、塑封。节电容较大,不宜在高频电路中应用,所以不能用于检波
②检波二极管:作用:把调制在高频电磁波上的低频信号检取出来。这样就要求节电容较小,反向电流也小,所以用点接触式的,玻璃陶瓷封装,有较好的高频特性
特殊参数:检波效率=直流输出电压/输入信号电压峰值×100%
③开关管:利用二极管的单向导电性,正偏时导通,反偏时截止。玻璃陶瓷封装,减小管壳电容。
开关时间: 开通时间: 从截止到导通的时间
反向恢复时间:从导通到截止的时间
开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高,广泛用于自动控制电路
④1N系列塑封(玻封)硅二极管(美国型号命名的管子)
塑封(玻封)硅整流二极管、高速开关硅二极管,由于体积小、价格低、性能优良正迅速取代2CZ11、2CZ12系列的整流管和2CK系列开关管
1N系列整流二极管参数
型号
反向峰值电压
额定整流电流
正向浪涌电流
正向压降
反向电流
工作频率
1N4000
1N4001
1N4002
1N4003
1N4004
1N4005
1N4006
1N4007
25 V
50 V
100 V
200 V
400 V
600 V
800 V
1000 V
1 A
30 A
≤ 1 V
< 5 uA
3 KHz
1N5100
1N5101
1N5102
1N5103
1N5104
1N5105
1N5106
50 V
100 V
200 V
300 V
400 V
500 V
600 V
A
75 A
≤ 1 V
< 5 uA
3 KHz
1N5107
1N5108
800 V
1000 V
1N5200
1N5201
1N5202
1N5203
1N5204
1N5205
1N5206
1N5207
1N5208
50 V
100 V
200 V
300 V
400 V
500 V
600 V
800 V
1000 V
2 A
100 A
≤ 1 V
< 10 uA
3 KHz
1N5400
1N5401
1N5402
1N5403
1N5404
1N5405
1N5406
1N5407
1N5408
50 V
100 V
200 V
300 V
400 V
500 V
600 V
800 V
1000 V
3 A
150 A
≤ V
< 10 uA
3 KHz
典型的二极管的伏安特性如图所示。曲线可分为两部分:加正向偏置电压时的