CMOS集成电路制造工艺.ppt

文档介绍：CMOS集成电路制造工艺
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形成N阱
初始氧化
淀积氮化硅层
光刻1版,定义出N阱
反应离子刻蚀氮化硅层
N阱离子注入,注磷
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形成P阱
去掉光刻胶
在N阱区生长厚氧化层,其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化
去掉氮化硅层
P阱离子注入,注硼
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推阱
退火驱入
去掉N阱区的氧化层
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形成场隔离区
生长一层薄氧化层
淀积一层氮化硅
光刻场隔离区,非隔离区被光刻胶保护起来
反应离子刻蚀氮化硅
场区离子注入
热生长厚的场氧化层
去掉氮化硅层
形成多晶硅栅
生长栅氧化层
淀积多晶硅
光刻多晶硅栅
刻蚀多晶硅栅
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形成硅化物
淀积氧化层
反应离子刻蚀氧化层,形成侧壁氧化层
淀积难熔金属Ti或Co等
低温退火,形成C-47相的TiSi2或CoSi
去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co
高温退火,形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2
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形成N管源漏区
光刻,利用光刻胶将PMOS区保护起来
离子注入磷或***,形成N管源漏区
形成P管源漏区
光刻,利用光刻胶将NMOS区保护起来
离子注入硼,形成P管源漏区
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形成接触孔
化学气相淀积磷硅玻璃层
退火和致密
光刻接触孔版
反应离子刻蚀磷硅玻璃,形成接触孔
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形成第一层金属
淀积金属钨(W),形成钨塞
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