文档介绍：晶体管参数(补充说明)
技术部高华李伟编
本来C-B结反向偏置电压会高于C-E结额定电压,对于电压馈电型电路,额定的Vcbo在正常工作状态,并不是重要的,它足够保证大于压敏电阻VDR的最大抑制电压。
对于中心抽头的推换式变压器型电子镇流器,晶体管工作在高于整流后直流母线电压上,对于这种特殊的镇流器,晶体管的额定VCBO变得很重要。如果额定的Vcbo设计不够,会造成晶体管失效。
晶体管在集成了反向续流二极管后,就使得Vcbo几乎成为不可测量。因为所测得的Vcbo是该反向并联二极管的反向击穿电压(Vrrm)。在设计和制造时晶体管和该二极管是匹配的。
Vceo:
在起动和故障状态,晶体管导通时,它的C-E结两端上完全加着整流后的母线电压。所以额定的C-E结电压必须大于这个电压。对于在电网电压为220V~230V的晶体管。如工作在电压馈电型的电路中,Vceo设定为400V是足够安全了。如果把Vceo设定得过高是错误的,它会导致晶体管的开关时间变长,损耗增加。
Vebo:
在正常工作状态,反向的b-E峰值电压大约是—4V。对于起动和故障状态,额定的Vebo为—9V足够了。
Ic/Icm:
Ic为额定的连续的集电极电流,不过为完整起见还包括额定的峰值开关电流Icm。Icm对于电子镇流器来说,是最重要的。如果导通时间为10ms,则BUL125可以通过8A电流。如果导通时间是300µs,则BULD125,可以通过12A电流。在故障状态,电流大约是正常运行值的5倍,这就使得BULD125晶体管适合用在最大额定电流刚好超过2A的镇流器上。集电极峰值电流2A,就允许BULD125用在125W的镇流器中。
Ib/Ibm:
Ib是连续的基极额定电流。为完整起见,一般还包括额定的峰值电流Ibm同电子***流器更密切。如果最大的基极电流是通过驱动变压器产生的,则等效的峰值基极电流将是Icm/n,n是该变压器的匝比。在多数情况下,Ib是Icm额定值的25%应该足够了。
Ir(rec)
这是在二极管导通之后,从该二极管放出电荷的电流。所放出的电荷多少,正比于二极管结构尺寸大小,(这和基极区域的储存时间相似)。但是电流释放的方式与二极管的设计和加工工艺有关。理想情况是该电荷会以梯形波形流过,波形的上升和下降时间相同。保持Ir(rec)为最小值,是低功率镇流器的关键。因为,从二极管释放出的电荷电流会通过晶体三极管流过,产生很大的环流,它会干扰镇流器工作的稳定性。BULD25晶体管,典型的Ir(rec)<5mA。
Tr:
这是Ic流过峰值的25%所耗费的时间。这个参数和电路相关,应该在尽可能接近镇流器实际工作的状态下测量。一般地tr≤1µS可以接受,而BULD25晶体管典型值是tr≤500ns。
Vfr,Tfre
这是正向恢复电压和恢复时间,两者都要求最小。以避免振荡和减少动耗。
Ptot
这是在25℃环境温度下所测得的晶体管的连续耗散功率,是晶体管短路期间,功率容量的量度。/℃,则BULD85KC,在自由的空气中,,用惯常的引线框架采用“SL”和“D”封装.
Vce(sus):
这是电感负载下,晶体管的维持电压,这是指晶体管在规定的电流值内,不发生异常现象所能承受的极