文档介绍：第6章半导体器件
常用的半导体器件有二极管、三极管和场效应管,本章重点介绍常用半导体器件的结构,伏安特性和主要参数。
半导体器件是构成电子电路的最基本单元。掌握半导体器件的特征是分析电子电路的基础。
下篇模拟电子技术
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。
半导体的三个特性

在加热或光照加强时,半导
体的阻值显著下降,导电能力
增强类似于导体。
半导体具有热敏特性和光敏特性是由半导体的内部结构所决定的。。
半导体

如果在半导体里掺入少量外层电子只有三个的硼元素,和外层电子数是四个的硅或锗原子组成共价键时,就自然形成一个空穴,这就使半导体中的空穴载流子增多,叫空穴型半导体,简称P型半导体。
如果在半导体中掺入少量外层电子为五个的磷元素,在和半导体原子组成共价键时,就多出一个电子。这种电子为多数载流子的半导体叫电子型半导体,简称N型半导体。

在一块纯净的半导体晶片上, 采用特殊的掺杂工艺,在两侧分别掺入三价元素和五价元素。一侧形成P型半导体,另一侧形成N型半导体,。 
在结合面的两侧分别留下了不能移动的正负离子,呈现出一个空间电荷区。这个空间电荷区就称为PN结。
PN结
PN结正偏(P+N-)导通,反偏(P-N+)载止,具有单向导电性。

结构和分类
二极管内部就是一个PN结,PN结具有单向导电性,所以二极管也具有单向导电性。
按PN结的接触面大小,
二极管可分为点接触型
和面接触型。按制造所
用的半导体材料,二极
管可分为硅管和锗管。按不同的用途,二极管
可分为普通管,整流管和开关管等。
半导体二极管

,锗管导
。除稳压二极管外,
反向击穿都将使二极管损坏。

(1)最大整流电流IF
超过IF二极管的PN结将过热而烧断。
(2)最高反向工作电压URM
二极管一旦过压击穿损坏,失去了单向导电性。
(3)最大反向电流IRM
这个电流愈小二极管的单向导电性愈好。温升时,IRM增大。
伏安特性和主要参数
利用二极管的单向导电性,可实现整流、限幅、钳位、检波、保护、开关等。

整流电路是利用二极
管的单向导电作用,将交
流电变成直流电的电路。
二极管的应用
限幅电路是限制输出信号幅度的电路。