文档介绍：离子注入法介绍
■概述
■离子注入工艺设备及其原理
■射程与入射离子的分布
■实际的入射离子分布问题
■注入损伤与退火
■离子注入工艺的优势与限制
离子注入(Ion lmplantation)
参考资料:
《微电子制造科学原理与工程技术》第5章离子注入
(电子讲稿中出现的图号是该书中的图号)
■离子注入工艺是IC制造中占主导的掺杂技术
■离子注入:将杂质离化,通过电场加速,将这些离化
的杂质直接打入硅片中,达到掺杂的目的
■一般CMOS工艺流程需6~12次离子注入
■典型的离子注入工艺参数:能量约5~200keV,
剂量约1011~1016/cm2。
一、概述
(一)介绍
(二)MOSFET工艺中的离子注入
(1) 离子源——杂质离子的产生
(2) 加速管——杂质离子的加速
(3) 终端台——离子的控制
二、离子注入工艺设备及其原理
1、离子注入技术的三大基本要素:
(1) 离子的产生
(2) 离子的加速
(3) 离子的控制
2、离子注入系统的三大组成部分:
■气态源: (或固体源)
BF3 AsH3 PH3 SiH4 H2
■放电室:低气压、分解离化气体
BF3  B,B+,BF2+,F+,
……
■引出狭缝:负电位,吸引出离子
(1)离子源:
离子束流量(最大mA量级)
吸极电压Vext:约15~30KV,
决定引出离子的能量(速度)
产生杂质离子
■出口狭缝:只允许一种(m/q)的离子离开分析仪
(2)质量分析器:
■分析磁铁:磁场方向垂直于离子束的速度方向
离子运动路径:
离子运动速率:
质量m+m的离子产生的位移量
选择注入所需的杂质成分(B+)