文档介绍：第九章:薄膜物理淀积技术 Metal Layers in a Chip Multilevel Metallization on a ULSI Wafer Passivation layer Bonding pad metal p+ Silicon substrate Via ILD-2 ILD-3 ILD-4 ILD-5 M-1 M-2 M-3 M-4 p- Epitaxial layer p+ ILD-6 LI oxide STI n-well p-well ILD-1 Poly gate n+ p+ p+ n+ n+ LI metal Copper Metallization : 微电子技术中的薄膜种类繁多,一般都不能(也不需要)形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可(但要求其界面的应力足够小)。其生长的过程大致为: 晶核形成、晶粒成长、晶粒聚结、逢道填补、成积膜成长。 油扩散泵原理: 无油真空系统: