09薄膜物理淀积技术.ppt

文档介绍：第九章:薄膜物理淀积技术
Metal Layers in a Chip
Multilevel Metallization on a ULSI Wafer
Passivation layer
Bonding pad metal
p+ Silicon substrate
Via
ILD-2
ILD-3
ILD-4
ILD-5
M-1
M-2
M-3
M-4
p- Epitaxial layer
p+
ILD-6
LI oxide
STI
n-well
p-well
ILD-1
Poly gate
n+
p+
p+
n+
n+
LI metal
Copper Metallization
:
微电子技术中的薄膜种类繁多,一般都不能(也不需要)形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可(但要求其界面的应力足够小)。其生长的过程大致为:
晶核形成、晶粒成长、晶粒聚结、逢道填补、成积膜成长。
油扩散泵原理:
无油真空系统: