文档介绍：单位代码: 10183
学号: 2005511009
吉林大学博士学位论文
刘雪强
分类号:TN386、TN389 密级:公开
薄膜晶体管驱动OLED技术中关键问题的研究
The Studyies of n Key Issues aboutof Thin Film Transistors anic Light-emitting Display Driving Technology by Thin Film Transistors
刘雪强
指导教师姓名: 张彤教授
专业名称: 微电子学与固体电子学
论文答辩日期: 2008年月日
授予学位日期: 2008年月日
答辩委员会主席:
论文评阅人:
年月
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吉林大学博士学位论文原创性声明
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学位论文作者签名:
日期: 年月日
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研究生院:
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论文级别:□□硕士■■博士
学科专业: 微电子学与固体电子学
论文题目: 薄膜晶体管驱动OLED技术中关键问题的研究
作者签名: 指导教师签名:
2008年月日
作者联系地址(邮编): 吉林省长春市前进大街2699号
吉林大学电子科学与工程学院(130012)
作者联系电话:0431-85168385
提要
OLED近年来,anic Light-Emitting Diode)显示屏具有超薄、超轻、自发光、高清晰、制备成本低及可实现柔性显示等优点,近年来,OLED成为平板显示领域研究的热点,它具有超薄、超轻、自发光、高清晰、低能耗、制备成本低及可实现柔性显示等优点。利目前用薄膜晶体管阵列进行实现OLED的有源驱动来实现可以满足OLED屏的全彩色以及高对比度、高信息含量显示的需要。针对围绕OLED有源驱动这个问题,本文按照从单管到电路单元、再到集成电路设计的顺序,由简到繁的研制了单管OTFT,在此基础上制备了有机电路单元,最后完成了128×96×3像素全彩色OLED屏有源驱动多晶硅TFT阵列布图设计来驱动128×96×3像素全彩色OLED屏。
以ITO为衬底,分别制备了底栅结构和顶栅结构的CuPc薄膜晶体管。底栅结构的TFT是利用高分子聚合物(甲基丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸环氧丙脂)为绝缘层,三氧化钼做为有源层和源漏接触之间的缓冲层,在低功函数铝作为源漏金属为低功函数铝的情况下,降低了器件具有开启电压低,提高了电流开关比高的特点。顶栅结构的OTFT利用高介电常数的CaF2为绝缘层,增大了器件的开态电流,得到了获得的器件具有较高的迁移率。
提取了顶栅结构OTFT在H-SPICE下模型的参数,用此模型对OTFT构成的电路单元进行仿真。在此基础上,制备了基于顶栅结构薄膜晶体管的反相器、与非门、电流镜等基本电路单元。,并对电路单元的性能进行了测试。
开展了低温多晶硅薄膜晶体管有源驱动OLED的研究。,经仿真确定了像素电路内各个参数的值,设计采用了128×96×3像素的全P沟道低温多晶硅薄膜晶体管驱动阵列
的设计,并完成将部分周边驱动与显示屏的像素阵列集成在一起的布图设计,有效地减少了外接引线的数目。针对设计工作,提出了一种电流测试方法来快速检测多晶硅TFT阵列驱动管能否正常工作状态,具有高精度、不影响开口率、对阵列无损伤等优点。
目录
第一章绪论 14
§ 薄膜晶体管的发展历史与研究现状 58
§ 非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管性能比较 69
§ 非晶硅(a-Si)TFT 技术简介 69
§ 多晶硅(Poly-Si)TFT技术简介 710
§ 有机(OTFT)TFT技术简介 811
§ 多晶硅薄膜晶体管制备技术及应用 912
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