文档介绍：模拟电路基础知识 1、同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等 2、反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念 3、PN结具有一种很好的数学模型:开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结,三极管诞生了 4、高频电路中,必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容,反相偏置为势垒电容) 5、点接触型二极管适用于整流,面接触型二极管适用于高频电路 6、, 7、齐纳二极管(稳压管)工作于反向击穿状态 8、肖特基二极管(Schottky,SBD)适用于高频开关电路,正向压降和反相压降都很低()但是反向击穿电压较低,漏电流也较大 9、光电二极管(将光信号转为电信号) 10、二极管的主要参数:最大整流电流,最大反相电压,漏电流 11、三极管有发射极(浓度最高),集电极,基极(浓度最低)。箭头写在发射极上面 12、发射极正偏,集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式:共基极,共发射极(最多,因为电流,电压,功率均可以放大),共集电极。判别三种组态的方法:共发射极,由基极输入,集电极输出;共集电极,由基极输入,发射极输出;共基极,由发射极输入,集电极输出。 13、三极管主要参数:电流放大系数β,极间反向电流,(集电极最大允许电流,集电极最大允许耗散功率,反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域) 14、三极管数学模型:单管电流放大 15、射极偏置电路:用于消除温度对静态工作点的影响(双电源更好) 16、三种BJT放大电路比较:共射级放大电路,电流、电压均可以放大。共集电极放大电路:只放大电流,跟随电压,输入R大,输出R小,用作输入级,输出级。共基极放大电路:只放大电压,跟随电流,高频特性好 17、去耦电容:输出信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。旁路电容:输入信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路 18、BJT是一种电流控制电流型器件(双极型),FET是一中电压控制电流器件(单极型) 19、主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。 20、场效应管三个铝电极:栅极g,源极s,漏极d。分别对应三极管的基极b,发射极e,集电极c。其中P型衬底一般与栅极g相连 21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt),耗尽型FET则不需要栅源电压,在正的Vds作用下,就有较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs,那么可能出现夹断,此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***:可以在正负的栅源电压下工作) 22、N沟道的MOS管需要正的Vds()和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe),而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt 23、MOSFET主要参数:开启电压Vt,夹断电压Vp。极限参数:最大漏极电流Idm,最大耗散功率Pdm 24、MOSFET三种放大电路:共源极放大电路(共射极),共漏极放大电路(共集电极),共栅极放大电路(共基极) 25、差分式放大电路:差模信号:两输入信号之差。共模信号:两输入信号之和除以2。由此:用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型:任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2 26、差分式放大电路只放大差模信号,抑制共模信号。利