文档介绍：电力电子器件
填空题:
。电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大类。
,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗___。
,一般由__控制电路__、__驱动电路_、__主电路__三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加__保护电路___。
,电力电子器件可分为_单极型_ 、_双极型__ 、_复合型_三类。
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、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。晶闸管派生器件:快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管。
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正向有触发则导通、反向截止___关断_ 。
,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_=(2~4)_IH 。
,UDRM_<_Ubo。
(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
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,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。
,对器件并联时均流有利。
的开启电压UGE(th)随温度升高而_下降_,开关速度_小于_电力MOSFET 。
,一类是高压集成电路,另一类是_智能功率集成电路_。
,可将电力电子器件分为_电流驱动型_和_电压驱动型_两类。
,驱动电流后沿应是_一定负值_。
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,并用电阻将其消耗。在过电流保护中,快速熔断器的全保护适用于_小_功率装置的保护。
,以便与功率晶体管的开关时间相配合。
,给每只管子并联相同阻值的电阻R是_静态均压_措施,给每只管子并联RC支路是_动态均压_措施,当需同时串联和并联晶闸管时,应采用_先串后并_的方法。
, 在1/2或1/3额定电流以上区段具有_正_温度系数。
:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是
_电力二极管_,属于半控型器件的是_SCR_,属于全控型器件的是_GTO、GTR、MOSFET、IGBT_;属于单极型电力电子器件的有_MOSFET_,属于双极型器件的有_ GTO、GTR、电力二极管、SCR_,属于复合型电力电子器件得有_IGBT_;在可控的器件中,容量最大的是_GTR_,工作频率最高的是_MOSFET_,属于电压驱动的是_ MOSFET、IGBT _,属于电流驱动的是_ GTO、GTR _。单管输出功率最大的是GTO,应用最广泛的是IGBT。IGBT是一个复合型器件,它是GTR驱动的MOSFET。
简答题:
?同处理信息的电子器件相比,它的特点是什么?
-27所示,试说明其中保护电路的重要意义?
,阻值较高且为常量,为何二极管在正向电流较大时管压降仍然很低?
?这与它们的单相导电性能是否矛盾?这种反向电流在电路使用中会带来什么问题?
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?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?