文档介绍：西南大学电子信息工程学院
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作用:保存正在执行的程序和数据;
掩膜型ROM
主存储器可一次编程PROM
(内存) ROM 紫外线擦除的 EPROM
电可擦除的EEPROM
微型计算机元件: 快擦型Flash MEM
的存储器由静态RAM
RAM
动态RAM
作用:保存主存的副本或暂时不执行的
辅助存储器程序和数据;
(外存) 软/硬磁盘
介质: 光盘
磁带等
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(2)按存储介质划分
磁芯存储器
半导体存储器
磁泡存储器
磁表面存储器
激光存储器等
本章主要讲授半导体存储器。
在微型计算机中,半导体存储器主要作为
内存储器使用。
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半导体存储器的分类:
按工作方式分按制造工艺分按存储机理分
双极型RAM
随机存取存储器静态读写存储器(SRAM)
(RAM) 金属氧化物型
(MOS)RAM 动态读写存储器(DRAM)
ROM
PROM
只读存储器 EPROM
(R0M) E2PROM
闪速E2PROM(FLASH)
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2、内存储器的主要性能指标
⑴内存储容量
表示一个计算机系统内存储器存储数据多少的指标。
存储容量=字数×字长
注意:
①以字节为单位。
②内存容量与内存空间的区别
内存容量:若某微机配置2条128MB的SDRAM内存条,
则其内存容量为256MB。
内存空间:又称为存储空间、寻址范围,是指微机的寻址
能力,与CPU被使用的地址总线宽度有关。
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③芯片容量
是指一片存储器芯片所具有的存储容量。
例如:
SRAM芯片6264的容量为8K×8bit,即它有8K个
单元,每个单元存储8位(一个字节)二进制数据。
DRAM芯片NMC4l256的容量为256K×lbit,即它
有256K个单元,每个单元存储1位二进制数据。
⑵最大存取时间
内存储器从接收寻找存储单元的地址码开始,
到它取出或存入数码为止所需要的最长时间。
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⑶功耗
包括“维持功耗”和“操作功耗”两种。
⑷可靠性
一般指存储器对电磁场及温度等变化的抗干
扰能力。通常用“平均无故障时间”来表示。
目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间
隔时间(MTBF)约为5×l06~l×108小时左右。
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⑸集成度
每片存储器芯片上集成的基本存储单元的个数。
常用存储器芯片有:
1K位/片, 如:Intel 2115A (1K×1);
16K位/片,如:MCM2167H35L(16K×1);
64K位/片,如: MCM62L67-35L(64K×1);
256K位/片,如: MCM6205NJ17(32K×8);
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§ 半导体存储器件
⒈只读存储器(ROM)
ROM具有掉电后信息不会丢失的特点,一般用于存放
固定的程序和数据等。如监控程序、BIOS程序、字库等。
⑴ ROM的结构和特点
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薄栅氧化层的
管子为正常开启
厚栅氧化层的
管子为高开启
⑵ ROM的分类
按生产工艺和工作特性分为:
①掩膜编程的ROM(Mask Programmed ROM)
例如:采用“并联单元阵列”的掩膜ROM
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②可编程只读存储器(Programmable ROM)
有“熔断丝型”和“PN结击穿型”两种。用户可以对其一次性编程,重复读出。
熔断丝型PROM是以
熔丝的接通或断开来
表示存储信息是“1/0”。
例如:
熔断丝型8×4ROM