文档介绍：存储器的分类和主要性能指标微机原理西南大学电子信息工程学院*作用:保存正在执行的程序和数据;掩膜型ROM主存储器可一次编程PROM(内存)ROM紫外线擦除的EPROM电可擦除的EEPROM微型计算机元件:快擦型FlashMEM的存储器由静态RAMRAM动态RAM作用:保存主存的副本或暂时不执行的辅助存储器程序和数据;(外存)软/硬磁盘介质:光盘磁带等西南大学电子信息工程学院*(2)按存储介质划分磁芯存储器半导体存储器磁泡存储器磁表面存储器激光存储器等本章主要讲授半导体存储器。在微型计算机中,半导体存储器主要作为内存储器使用。西南大学电子信息工程学院*半导体存储器的分类:按工作方式分按制造工艺分按存储机理分双极型RAM随机存取存储器静态读写存储器(SRAM)(RAM)金属氧化物型(MOS)RAM动态读写存储器(DRAM)ROMPROM只读存储器EPROM(R0M)E2PROM闪速E2PROM(FLASH)西南大学电子信息工程学院*2、内存储器的主要性能指标⑴内存储容量表示一个计算机系统内存储器存储数据多少的指标。存储容量=字数×字长注意:①以字节为单位。②内存容量与内存空间的区别内存容量:若某微机配置2条128MB的SDRAM内存条,则其内存容量为256MB。内存空间:又称为存储空间、寻址范围,是指微机的寻址能力,与CPU被使用的地址总线宽度有关。西南大学电子信息工程学院*③芯片容量是指一片存储器芯片所具有的存储容量。例如:SRAM芯片6264的容量为8K×8bit,即它有8K个单元,每个单元存储8位(一个字节)二进制数据。DRAM芯片NMC4l256的容量为256K×lbit,即它有256K个单元,每个单元存储1位二进制数据。⑵最大存取时间内存储器从接收寻找存储单元的地址码开始,到它取出或存入数码为止所需要的最长时间。西南大学电子信息工程学院*⑶功耗包括“维持功耗”和“操作功耗”两种。⑷可靠性一般指存储器对电磁场及温度等变化的抗干扰能力。通常用“平均无故障时间”来表示。目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间(MTBF)约为5×l06~l×108小时左右。西南大学电子信息工程学院*⑸集成度每片存储器芯片上集成的基本存储单元的个数。常用存储器芯片有:1K位/片,如:Intel2115A(1K×1); 16K位/片,如:MCM2167H35L(16K×1); 64K位/片,如:MCM62L67-35L(64K×1); 256K位/片,如:MCM6205NJ17(32K×8);西南大学电子信息工程学院*§⒈只读存储器(ROM)ROM具有掉电后信息不会丢失的特点,一般用于存放固定的程序和数据等。如监控程序、BIOS程序、字库等。⑴ROM的结构和特点西南大学电子信息工程学院*薄栅氧化层的管子为正常开启厚栅氧化层的管子为高开启⑵ROM的分类按生产工艺和工作特性分为:①掩膜编程的ROM(MaskProgrammedROM)例如:采用“并联单元阵列”的掩膜ROM