文档介绍：大规模集成电路专题讲座
报告内容介绍
报告分为三部分:
第一部分:IC发展和国内外情况介绍;
第二部分:IC设计介绍;
第三部分:IC设计的热点和趋势
第一部分IC发展和国内外情况介绍
1、集成电路工艺的发展的特点和规律;
2、IC发展方向与我国IC的发展情况;
3、对IC设计人才的需求;
九十年代以来,集成电路工艺发展非常迅速,已从亚微米()进入到深亚微米(),进而进入到超深亚微米()。其主要特点:
特征尺寸越来越小
芯片尺寸越来越大
单片上的晶体管数越来越多
时钟速度越来越快
电源电压越来越低
布线层数越来越多
I/O引线越来越多
一、集成电路工艺的发展特点和规律
年份 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012
最小线宽
(μm)
DRAM容量 256M 1G 1G~4G 4G 16G 64G 256G
每片晶体管数 11 21 40 76 200 520 1400
(M)
芯片尺寸 300 440 385 430 520 620 750
(平方毫米)
频率(兆赫) 750 1200 1400 1600 2000 2500 3000

金属化层层数 6 6-7 7 7 7-8 8-9 9

最低供电电压 - - - - - - -
(v)
最大晶圆直径 200 300 300 300 300 450 450
(mm)
1、发展规划代次的指标
1’’ Wafer in 1964 vs. 300 mm (12 ”) Wafer in 2003
The IC in 1961 vs. IBM PowerPC 750 in 1999
2、Moore’s Law and Future IC Technologies
Moore Law
--- Min. transistor feature size decreases by every three years
--- True for at least 30 years! (first published in 1965)
1997 National Technology Roadmap for Semiconductors
3、工艺特征尺寸
4、单个芯片上的晶体管数