场效应晶体管MOSFET基础培训.ppt

文档介绍：微电子器件基础
第四章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础
引言
所谓“MOS”指的仅是金属-二氧化硅(SiO2)-硅系统。更一般的术语是金属-绝缘体-半导体(MIS),其中的绝缘体不一定是二氧化硅,半导体也并非一定是硅。由于MIS系统有着类似的基本物理概念,在这一章里我们将始终讨论MOS系统。
MOSFET的基本结构
双端MOS结构
MOSFET 的核心是金属-氧化物-半导体电容, 其中的金属可以是铝或者一些其它的金属,但更通常的情况是在氧化物上面淀积高电导率的多晶硅;然而,金属一词通常被延用下来。
能带图
外加负栅压的MOS电容器的电场和电流
能带图
施加小的正偏栅压后的MOS电容器
能带图
p型衬底MOS电容器的能带图
能带图
n型衬底MOS电容器的能带图
耗尽层厚度
我们可以通过计算求出于氧化物-半导体界面处的空间电荷区的宽度,下图所示为p型衬底半导体的空间电荷区示意图。
耗尽层厚度