文档介绍：第四章淀积
§4-1膜淀积
§4-2化学气相淀积
§4-3外延
§4-4金属化与平坦化
§4-1膜淀积
淀积:一种材料以物理方式沉积在晶圆表面的工艺过程
与热氧化的区别:形成膜的来源不同
淀积:形成膜的物质全部来自外部的源
热氧化:从硅片表面生长,消耗衬底材料
淀积的膜:SiO2,Si3N4,多晶硅,金属等
一、薄膜特性(质量参数要求)
高密度:连续的不含孔隙
厚度一致(均匀性)
对台阶的覆盖好
高的深宽比间隙填充能力
高纯度
合适的化学剂量
低的膜应力
对下层材料的粘附性
台阶覆盖
间隙填充能力
用深宽比来描述一个间隙(孔或槽)
深宽比=深/宽
高的深宽比典型值一般为3
有时是5或更大
一般膜淀积时槽的底部和边缘比较薄
高的深宽比间隙
二、薄膜形成
形成过程:
晶核形成→聚集成束(岛生长)→连续成膜
膜结构控制:
淀积膜可能是无定形、多晶、单晶
工艺设置不当,控制不良,会导致错误的膜结构
三、膜淀积技术
膜淀积技术:
化学化学气相淀积(CVD)
电镀
物理蒸发
溅射
旋涂方法
§4-2化学气相淀积
一、特点:
产生化学反应
反应物以气相形式参加反应
膜中的所有材料物质来源于外部的源
二、反应机理

参加反应的气体传输到硅片表面
反应物扩散至硅片表面并吸附其上
硅片表面发生化学反应,生成膜分子和副产物
膜分子沿硅片表面向膜生长区扩散并与晶格结合成膜
反应副产物随气流流动至排气口,被排出淀积区