文档介绍：TFT工艺设计培训
11/13/2017
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TFT是什么呢?
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认识TFT
G
D
S
D
S
G
D
S
G
1、TFT(Thin Film Transistor)薄膜晶体管,为一三端子元件。
2、在LCD应用上可视为一个开关。
3、采用底栅型结构。
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TFT元件的运作原理
D
S
G
G
D
S
CLC
com
G
D
S
VGS > Vth
V
SD
D
S
G
TFT元件在栅极(G)给予适当电压(VGS>其始电压Vth ,注),使通道(a-Si)感应出载子(电子)而使得源极(S)漏极(D)導通。
【注】:Vth 为感应出载子所需要的最小电压。
(1)VGS>Vth :读信号
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TFT元件的运作原理
(2)Vgs<Vth:信号保持
D
S
G
G
D
S
CLC
com
G
G
D
S
VGS〈Vth
V
SD
D
S
(G)给予适当电压。当VGS小小于其始电压时没有感应出载子则沟道断路。
,当VGS>Vth则ON,当VGS<Vth则OFF。
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(b)电路图
V
G
V
P
C
GD
C
GS
C
ST
C
LC
V
COM
V
ID
1.△V的大小关系如下:
CGD:栅极与漏极间电容
CLC:液晶电容
CST:存储电容
△V与影像信号的极性无关,永远比像素电位Vp 下降此一电压值。因此,设定成相对于信号线的中心电压VC 低一偏移值△V,便可以使加在像素电极上的电压成为正负对称的波形,使直流位准的电压降误差到最小值。
TFT元件工作示意图
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存储电容
Source 線
G
D
S
Gate 線
Cst
CLC
Com
Vg
Vs
Cgs
目的:降低TFT关闭時,因Cgs所引起的像素电压变化(Voltage Offset)。
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V
C
V
COM
T
1
△
v
△
v
上半周期
下半周期
一周期
T
2
V
G
V
ID
V
P
(a)驱动波形图
△
v
,VID为信号线电压,分別加在TFT的栅极,源极。
(水平选择期间)TFT ON,像素电极电位VP会被充电至信号电位VID 。在T2 时域(非选择期间)TFT OFF,在OFF的瞬間,VP会下降△V,此△V的大小与TFT元件的栅极与漏极间的寄生电容CGD有关,因此在设计与制作元件时尽量避免寄生电容的产生。
驱动波形
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TFT特性
TFT OFF
TFT ON
1、A-Si TFT断开电流约为1×10-12A左右,导通/断开之比高于1×106。
2、~ cm2/Vs,Vth为2~4V。迁移率低是因为膜中缺陷多。
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Array 面板信号传输说明
Gate Driver
Source Driver
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