文档介绍：报告人:谭先华
光刻过程中的驻波效应分析
2010-11-21
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驻波效应形成的原因
抗蚀剂在曝光过程中由于其折射率和基底材料折射率不匹配,在基底表面产生的反射光和入射光相互干涉而形成驻波。光强的驻波分布使抗蚀剂内的光敏化合物(photo pound,PAC)的浓度也呈驻波分布,从而使抗蚀剂在显影后边缘轮廓有一定的起伏。
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抗反射膜
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衍射效应
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曝光剂量
3300 rpm for 30 seconds 200nm,正胶:AZ5206E
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光谱的宽度
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抑制驻波效应的方法有
1、采用多波长混合光源进行曝光[3 ] , 这种工艺虽能明显抑制驻波效应, 但这势必引起光刻胶过度曝光, 显然不适合亚微米光刻;
2、采用着色光刻胶是另一种方法,即在光刻胶中添加着色剂(感光机团或吸光剂) 以吸收反射光, 从而弱化驻波效应及光刻胶多重曝光现象。但着色剂同样能吸收入射光, 因此需增加曝光能量, 导致曝光量难以控制。
3、采用ARC (抗反射涂层) 是目前应用较广泛的工艺, 即在光刻胶上或晶片上涂敷一层抗反射膜, 分别称作TARC与BARC (图2) , 亦可同时涂敷TARC 与BARC
驻波效应的抑制
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用驻波效应做结构
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