文档介绍：第卷第期压电与声光..
年& .
文章编号:———
/薄膜湿法刻蚀研究
闻伟,杨传仁,张继华,陈宏伟,梁鸿秋,张瑞婷
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都
摘要:介绍了一种锆钛酸铅镧基铟锡氧化物薄膜的湿法刻蚀法。用:。:
一::的混合溶液对进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜和一射线能谱
仪分析表明,在℃经/刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的图形;在同等条件
下刻蚀的薄膜,刻蚀速率不及的,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。
关键词:铟锡氧化物薄膜;锆钛酸铅镧薄膜;湿法刻蚀;图形化
中图分类号: 文献标识码:
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铁电薄膜锆钛酸铅镧具有较强的电光学器件所面临的问题。
效应,自发极化以及在可见光和红外范围内的高透实验
过率,是理想的电光器件材料。制作纵向采用射频磁控溅射法用组分为///
电光器件需要透明导电薄膜作为它的上下电极。铟/的陶瓷靶在玻璃基片上沉积薄
锡氧化物薄膜具有电阻率低,透光性好,高温
膜,衬底温度℃,射频功率密度./。,
稳定性好及制备和图形加工工艺简单等诸多优
溅射气氛::: :,溅射气压.~
点,是一种理想的透明电极材料。
.,℃退火处理。
等在/石英玻璃基底上制备出了电
采用直流磁控溅射法用氧化铟锡陶瓷靶
学光学性能优良的铁电薄膜,验证了作:一: 制备,衬
为的透明电极的可行性。制作铁电底温度为℃,溅射功率为,溅射气体为
薄膜光电子学和集成光学器件常需要电极图,溅射压强为.。
形化。常用的薄膜微图形化法包括湿法化学清洗基片后用正型光刻胶作为薄膜的掩
刻蚀和干法刻蚀如超短激光脉冲刻蚀和/ 膜,匀胶后在干燥箱中前烘;曝光、显影
:等离子刻蚀等。干法刻蚀薄膜具有图后,在℃烘箱中坚膜,检测剩余的光刻
形转化精度高和各向异性好等优点,但所需设备昂胶上是否有严重的损伤;用::
贵,刻蚀速率低,且易导致光刻胶掩膜的炭化而难去::的刻蚀液并水浴加热刻蚀
除;湿法刻蚀成本低,且刻蚀速率较快。但由于;丙酮去胶,去离子水冲洗。用相同的刻蚀工艺
、、。、和都可能刻蚀刻蚀薄膜。
薄膜,往往刻蚀时对薄膜也用椭偏仪测膜厚;用扫描电子显微镜
会刻蚀。因此,如何选择刻蚀液配方和刻蚀条件,确观察薄膜的刻蚀效果并做一射线能谱
保在与薄膜间具有足够大的刻蚀选择仪分析是否刻蚀完全;用原子力显微镜
性是研制基于薄膜的光电子器件和集成光观察薄膜表面形态。
收稿日期:——
基金项目:国家自然科学基金资助项目;电子科技大学青年基金资助项目
作者简介:闻伟一,男,安徽滁州人,硕士生,主要从事铁电薄膜电光器件的研究。
压电与声光
结果与讨论/≈./,还不及刻蚀速率
的。这表明所选刻蚀液和刻蚀工艺对与
可刻蚀,但速度过慢,加入。并
的刻蚀选择较大。
水浴加热可明显提高反应速率ⅡⅢ.目。用褂基:
酶
; 一加:∞:舳的混∞合加溶液加在不
玲
同温度下刻蚀薄膜,得到刻蚀速率与温度间的
关系曲线如图所示。从图中可知,随着温度升高,
的刻蚀速率迅速增大。