文档介绍：第六章刻蚀
§6-1刻蚀的概念
§6-2刻蚀工艺
§6-3材料刻蚀
§6-1刻蚀的概念
一、基本概念
刻蚀:去除材料
用化学的或物理的或化学物理结合的方式
有选择的去除(光刻胶开出的窗口)
整体剥离或反刻
被刻蚀的材料:介质硅金属光刻胶
刻蚀工艺:
湿法刻蚀:大尺寸(> 3μm尺寸)
整体剥离或去除干法刻蚀后的残留物等
干法刻蚀:形成亚微米尺寸
目前用来形成图形主要方法
二、刻蚀参数
刻蚀速率
刻蚀剖面
刻蚀偏差
选择比
均匀性

刻蚀速率:去除材料的速度
单位:A/min
公式:△T/t

刻蚀剖面:刻蚀后图形的侧壁形状
各向同性各向异性
各向异性对制作亚微米器件很关键
高的各向异性,可以形成88°—89°垂直度的侧壁
各向异性各向同性

刻蚀后线宽或关键尺寸间距的变化
通常是由横向钻蚀引起。

选择比:两种材料刻蚀速率的比
公式:S=Er/Ef
高选择比意味着只刻除想要刻去得那层材料。
高选择比对于确保关键尺寸和剖面控制是必需的,要制造的关键尺寸越小,选择比要求越高

衡量刻蚀工艺在整个硅片上,或整个一批,或批与批之间刻蚀能力的参数
保持硅片的均匀性是保证制造性能一致的关键
难点在于在刻蚀具有不同图形密度的硅片上保持均匀性
(微负载效应)深宽比相关刻蚀:具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要比低深宽比硅槽的刻蚀速率慢
对于高深宽比的图形窗口,化学刻蚀剂难以进入,反应生成物难以出来