文档介绍：总复****br/>一、绪论:了解
二、二极管及其基本电路
1)本征半导体:不含杂质、完全纯净的半导体
2)杂质半导体:
N型半导体:掺入少量的5价元素。
多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴,以电子导电为主。
P型半导体:掺入少量的3价元素。
少数载流子是自由电子,多数载流子是空穴,以空穴导电为主。
单向导电性:
外加正向电压(正偏)时,外电场与内电场方向相反,空间电荷区变窄,形成较大的扩散电流,PN结呈现很小的电阻,称为正向导通;
外加反向电压(反偏)时,外电场与内电场方向相同,空间电荷区变宽,形成较小的漂移电流,PN结呈现很大的电阻,称为反向截止。
:
1)二极管的理想模型
2)二极管的恒压降模型
要求:a)判断二极管是否导通,( P97****题 )
b)分析限幅电路中二极管的工作状态,画输出
电压的波形。
三、半导体三极管及放大电路基础
1)结构:NPN型和PNP型
分为三区:发射区、集电区和基区;
两结:发射结Je和集电结Jc
2)各极间电流分配关系
IC=IB+ICEO IB
IE=IB+IC IC
IE=(1+)IB+ICEO (1+)IB
3)放大条件:发射结正偏,集电结反偏。
各极之间的电位关系为:
NPN管:VC>VB>VE PNP管:VC<VB<VE
4)特性曲线
输入特性曲线:Si管:Vth = 0. 5V ,Ge管:Vth =
1、半导体三极管BJT
5)三极管的三种工作状态:
放大状态:工作在放大区,发射结正偏,集电结反偏
截止状态:工作在截止区,发射结反偏,集电结反偏
饱和状态:工作在饱和区,发射结正偏,集电结正偏
要求能根据各电极的电位,判断三极管的管脚和工作状态。(P185****题 、)
当BJT处于工作状态时,Si管:VBE = ~ ()
[Ge管:VBE = ~ ()]
输出特性曲线:分为截止区、放大区、饱和区三个区域。
:
3)合理设置静态工作点
静态分析:确定静态值:IB、IC、VCE。
有两种方法,图解法:了解。
估算法:重点。
1)判断放大电路能否正常放大交流信号
原则:a)发射结正偏,集电结反偏;
b)交流信号应畅通。
静态偏置电路有三种:(要求掌握两种)
要求能判断放大电路能否正常放大交流信号,简述
理由。(P186****题 )
2)基本放大电路的分析
工作点偏低,输出波形容易出现截止失真;
工作点偏高,输出波形容易出现饱和失真;
要求由输出波形能判断是什么失真.
a)固定偏置电路1:
b)射极偏置电路:
先求IB IC VCE
VBIE(IC)IBVCE
动态分析:计算电压增益、输入电阻和输出电阻
有两种方法:图解分析法:了解。
a)固定偏置电路:
小信号等效电路法:重点。
b)射极偏置电路:
d)共基极电路(电路分析不要求)
、、、 (用NPN的三极管)
c)共集电极电路(电路分析不要求)
四、场效应管放大电路
1)结型场效应管(JFET):N沟道和P沟道。
耗尽型:当VGS=0时,有导电沟道,ID 0;
JFET是电压控制器件,属于单极型晶体管。
增强型:当VGS=0时,没有导电沟道,ID= 0;
2)MOS管:
要求根据转移特性曲线判断FET的类型。<br****题:、、、
3. 场效应管放大电路的分析(了解)