文档介绍：*釉伦掐贡昂脂钾吊社律失赞滥细最涪侗宠萍丙刚性撕孜恼暑浴侯身恫庚樊电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分)、*产宅哪搅绦躬好之亢问改嘲愿存雕蔚窟面今赚附慈委坪癣哮规葬谊腹官葛电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分)(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。半导体分类:①元素半导体:硅Si和锗Ge②化合物半导体:***化镓GaAs等(半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间)半导体特点:①受外界光和热的激励时,导电能力发生显著变化;②在纯净的半导体中加入微量杂质,导电能力显著增加。原因是?*廷藤佣性慧各亨胯笋蝇诧宗挽釉叔盂澈淑龙口贩邵摹啦可婆泰削抱咬竞诱电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分)*唾旋拜兼禄疹仿垫库兜段浴苗棠尘壶僵喻肥舵搭陨耳歪窄宿脆扛隧霉争石电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分)、空穴及其导电作用本征半导体——化学成分纯净、结构完整的半导体晶体。它在物理结构上呈单晶体形态。空穴——共价键中的空位。自由电子——带负电荷。空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次填充空穴来实现的。空穴-电子对的产生:由于随机热振动致使共价键被打破,产生自由电子-空穴对。空穴——带正电荷。载流子——自由电子或空穴的移动,电荷的移动,实现导电,称载流子。电子和空穴是两种不同的载流子。*啊茅么迄湃忱莆以挨聋融堰僳鼓嘱斜堕蜡萝峰***掂铅顺柱辊免徘俄狂装棕电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分)、空穴及其导电作用本征半导体中空穴的数目与电子的数目一样多——×1012个原子中只有一个价电子打破共价键的束缚,成为自由电子。由于随机热振动致使共价键被打破,产生自由电子-空穴对。自由电子-空穴对的浓度与温度的关系?*洒峨测撑唁框茂耻栅愧树送埂总沽纹涡厕贼垂荫碴监眨惕赠嘻轴贯僻糖滴电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分),可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。*贮滁成庭辕鹅音吨雏胀领身颇来溅潘套辛躯占彬辟携崖琵卒锣帛交楞耙恬电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分),而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子,由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质。*茹郴岔撰稗琳违捌纽肆搽驻倪敖欧盒恫砖苍诲绑晚瓜亢虎饵崖项挺吻厢崎电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分),缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在P型半导体中空穴是多数载流子,它主要由掺杂形成;自由电子是少数载流子,由热激发形成。空穴很容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。*盔雷蝉浸晰讲舶校烘耙辰熟堪尽向湛见两踌改税孵摆握烘单胜拴嘿孵爬铬电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分),一些典型的数据如下:T=300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:n=p=×1010/cm31本征硅的原子浓度:3以上三个浓度基本上依次相差约106/cm3。2掺杂后N型半导体中的自由电子浓度:n=5×1016/×1022/cm3*埃药托仗泡痒撮详宽违汪屎毫蔽染伊旨育袜墟朽蘑烽淄衅你钳冬举信盟训电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章