晶体三极管.ppt

文档介绍：晶体三极管
卞元红
大丰中等专业学校信息工程系
复****导入
1、简述晶体二极管的伏安特性。
正向导通,反向截止。
2、用实验如何判断二极管的质量?
用万用表的欧姆档测二极管PN结的正反向电阻,根据电阻的大小来判断。
半导体三极管及其放大电路
半导体三极管的结构、三极管电源的接法、电流分配关系、伏安特性曲线
学****重点
1 半导体三极管的结构
2 共发射极基本放大电路
3 晶体三极管的伏安特性
4 温度对三极管参数的影响
学****内容
晶体三极管
一、三极管的结构
半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中,两种载流子(电子和空穴)都参与导电,故又称为双极型晶体管,简称晶体管或三极管。
两个PN结,把半导体分成三个区域。这三个区域的排列,可以是N-P-N,也可以是P-N-P。因此,三极管有两种类型:NPN型和PNP型。
NPN型
PNP型
箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向
二、共发射极基本放大电路
1 . 放大电路的组成
(1)晶体管V 放大元件,用较小的基极电流IB控制较大的集电极电流IC。
(2)和VBB 使晶体管的发射结正偏,集电结反偏,晶体管处在放大状态,同时也是放大电路的能量来源,提供电流IB和IC。VCC一般在几伏到十几伏之间。
(3)基极偏置电阻RB 用来调节基极偏置电流IB,使晶体管有一个合适的工作点,一般为几十千欧到几百千欧。
(4)集电极电阻RC 将集电极电流IC的变化转换为电压的变化,以获得电压放大,一般为几千欧。

三、三极管内部载流子的传输过程
1、产生放大作用的条件
内部:a、发射区杂质浓度>>基区>>集电区
b、基区很薄
c、集电区面积很大
外部:发射结正偏,集电结反偏
2、三极管内部载流子的传输过程
,形成发射极电流IE。
,形成基极电流IB。
,形成集电极电流IC。
3、电流放大作用
IC = βIB IC=βIB+ICEO
实验表明IC比IB大数十至数百倍,因而有。IB虽然很小,但对IC有控制作用,IC随IB的改变而改变,即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化,表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用,这就是三极管的电流放大作用,所以三极管是电流控制器件。IC= βIB
四、三极管的电流分配关系