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电子技术基础模拟部分康华光版.ppt

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电子技术基础模拟部分康华光版.ppt

文档介绍

文档介绍:第一章半导体二极管和三极管本章主要内容:半导体基础知识;半导体二极管;晶体三极管;场效应管重点掌握:;§1半导体基础知识一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应一、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净(%的晶体结构的半导体。1、什么是半导体?什么是本征半导体?导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。四价单晶Si、Ge2、本征半导体的结构由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。共价键一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大。(补充浓度公式)补充内容:外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。热力学温度0K时不导电。二杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为(空穴半导体)。N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为(电子半导体)。(一)、N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷(或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子,其中四个与相邻的半导体原子形成共价键,必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚,很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子,称为施主原子。多余电子磷原子N型半导体中的载流子是什么?,浓度与施主原子相同。。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。?问题:磷(P)杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。多数载流子空穴比未加杂质时的数目多了?少了?为什么?(二)、P型半导体空穴硼原子P型半导体中空穴是多子,电子是少子。

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