文档介绍：1 5 场效应管放大电路 金属-氧化物-半导体(MOS) 场效应管 MOSFET 放大电路 结型场效应管(JFET) ***化镓金属-半导体场效应管* 各种放大器件电路性能比较 2场效应管的分类(基本结构) N沟道 P沟道增强型耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道(耗尽型) FET 场效应管 JFET 结型绝缘栅型 MOSFET 3 金属-氧化物-半导体(MOS) 场效应管 N 沟道增强型 MOSFET N 沟道耗尽型 MOSFET P 沟道 MOSFET 沟道长度调制效应 MOSFET 的主要参数 4 N 沟道增强型 MOSFET 1. 结构 P N +N +gsdP型基底两个 N +区 SiO 2绝缘层金属铝 gs d电路符号箭头表示由 P(衬底) 指向 N(沟道) 5 N 沟道增强型 MOSFET 2. 工作原理 P N +N +g sd v DSv GS v GS =0 时d-s间相当于两个背靠背的 PN 结 i D =0 对应截止区 6 N 沟道增强型 MOSFET 2. 工作原理 V T称为开启电压 P N +N +g sd v DSv GSv GS >0 时 v GS足够大时( v GS>V T) 感应出足够多电子,这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。感应出电子这种 v GS=0时没有导电沟道,而必须依靠栅源电压的作用,才形成感生沟道的 FET 称为增强型 FET 。 7 N 沟道增强型 MOSFET 2. 工作原理 v GS较小时,导电沟道相当于电阻将 d-s 连接起来, v GS 越大此电阻越小。 P N +N +g sd v DSv GS8 N 沟道增强型 MOSFET 2. 工作原理 P N +N +g sd v DSv GS当v DS不太大时, 导电沟道在两个N +区间是均匀的。当v DS较大时,靠近d区的导电沟道变窄。 9 N 沟道增强型 MOSFET 2. 工作原理夹断后,即使v DS继续增加, i D仍呈恒流特性。 i DP N +N +g sd v dsv gsv DS增加, v GD=V T 时, 靠近 d端的沟道被夹断, 称为预夹断。 10 N 沟道增强型 MOSFET 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程(1) 输出特性 const. DS D GS)( ?? vvfi①截止区: v GS <V T,导电沟道尚未形成, i D=0