文档介绍：Forpersonaluseonlyinstudyandresearch;,天赋决定其开口,而最高点则需后天的努力。没有秋日落叶的飘零,何来新春绿芽的饿明丽?只有懂得失去,才会重新拥有。本文由apqd贡献薄ppt文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。蚀微电子技术及其在当今社会中的应用蕿微电子和微电子技术半导体材料与半导体集成电路工艺技术微电子技术发展及现状微电子技术应用和作用莅微电子和微电子技术蚁微电子微型的电子电路微电子技术微型电子电路技术莁半导体材料和半导体集成电路莇半导体及其基本特性当半导体中的杂质含量很高时,电导率很高,呈现一定的金属性;纯净半导体在低温下的电导率很低,+源极栅极漏极N+金属N+膆P型衬底阱PN结二极管薅P型衬底NPN晶体管蒂P型衬底薁P型腿nMOS晶体管蚅半导体集成电路工艺技术袃双极集成电路工艺罿***注入羈SiO2蚄p_si衬底芄SiO2螁(a)埋层制备蚇半导体和半导体集成电路螄双极集成电路工艺蒁N外延层腿P衬底蒆N+埋层(b)外延层制备袄半导体集成电路工艺技术袂双极集成电路工艺袁光致抗蚀剂钝化层N外延层葿N+羄P芃(c)隔离区窗口制备莈半导体和半导体集成电路芈双极集成电路工艺肄沟道隔断区硼离子注入蚄NN+P肀N肆(d)氧化物隔离区制备(1)膄半导体集成电路工艺技术肄双极集成电路工艺薈NP+N+P聿N芄SiO2P+沟道隔断区膁(e)氧化物隔离区制备(2)芀半导体集成电路工艺技术袈双极集成电路工艺芄基区硼离子注入光致抗蚀剂SiO2P+N+埋层薂NP基区羂(f)基区制备薇半导体集成电路工艺技术莃双极集成电路工艺羃光致抗蚀剂SiO2…P+N+埋层莀(g)基区引线孔制备莆半导体集成电路工艺技术蒃双极集成电路工艺莄***离子注入发射区基区集电区埋层膂N+集电区荿(h)发射区制备薃半导体集成电路工艺技术蒁集成电路工艺技术主要包括:1,,:3,,,金属薄膜工艺包括真空蒸发技术,——微电子技术第一个里程碑;1959年硅平面工艺的发展和集成电路的发明——微电子技术第二个里程碑;1971年微机的问世——;摩尔定律:18个月集成度翻一番;集成电路的制造技术已经从1m,,,;单晶片的尺寸已经从原来的5英寸发展到了今天的8英寸,;计算机辅助制造集成电路;计算机辅助测试集成电路;:美国每年由计算机完成的