1 / 35
文档名称:

晶体三极管.ppt

格式:ppt   页数:35页
下载后只包含 1 个 PPT 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

晶体三极管.ppt

上传人:endfrs 2015/11/1 文件大小:0 KB

下载得到文件列表

晶体三极管.ppt

相关文档

文档介绍

文档介绍:半导体三极管有两大类型,
一是双极型半导体三极管
二是场效应半导体三极管
双极型半导体三极管
场效应半导体三极管
双极型半导体三极管是由两种载
流子参与导电的半导体器件,它由两
个 PN 结组合而成,S器件。
场效应型半导体三极管仅由一种
载流子参与导电,S器件。
第二章晶体三极管
1
双极型半导体三极管的结构
双极型半导体三极管电流的分配
与控制
双极型半导体三极管的电流关系
双极型半导体三极管的特性曲线
半导体三极管的参数
半导体三极管的型号
双极型半导体三极管
2


它有两种类型:NPN型和PNP型。
图 两种极性的双极型三极管
e-b间的PN结称为发射结(Je)
c-b间的PN结称为集电结(Jc)
中间部分称为基区,连上电极称为基极,
用B或b表示(Base);
一侧称为发射区,电极称为发射极,
用E或e表示(Emitter);
另一侧称为集电区和集电极,
用C或c表示(Collector)。
3
双极型三极管的符号在图的下方给出,发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的,实际上发射区的掺杂浓度大,集电区掺杂浓度低,且集电结面积大。基区要制造得很薄,其厚度一般在几个微米至几十个微米。
4
双极型三极管的电流分配与控制
双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。
若在放大工作状态:发射结外加正向电压,集电结外加反向电压。
现以 NPN型三极管的放大状态为例,来说明三极管内部的电流关系, 。
(动画2-1)
图 双极型三极管的
电流传输关系
5
发射结加正偏时,从发射区将有大量电子向基区扩散,形成发射极电流,与PN结中的情况相同。
从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
进入基区的电子流因基区的空穴浓度低,被复合的机会较少。又因基区很薄,在集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的时间很短,很快就运动到了集电结的边上,进入集电结的结电场区域,被集电极所收集,形成集电极电流。在基区被复合的电子形成基极电流。
6
另外因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:
IE =IC+IB
7
三极管放大的实质
发射结正向电压大小控制
基区少子浓度影响
集电极电流大小
即由Vbe控制Ic,由于Ib正比于Vbe,
所以有Ib正比于Ic。
8
。由以上分析可知,发射区掺杂浓度高,基区很薄,是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接,相当基区很厚,所以没有电流放大作用,基区从厚变薄,两个PN结演变为三极管,这是量变引起质变的又一个实例。
9
问题1:
除了从三极管的电流分配关系可以证明 IE=IC+IB 。还可以通过什么方法加以说明?
问题2:
为什么当温度升高时,三极管将失去放大作用?从物理概念上加以说明。
10