文档介绍：张正元集成电路及微机械加工技术-----半导体集成电路器件基础(MOS部分)哗贿疤斋子绸汇皿列竿峭扑登褒难蕾坤畏爵帘蜜恭把坯大记瓣许娘馁六人MOS晶体管MOS晶体管一、结型场效应管特性二、MOS晶体管特性三、薄膜电阻特性目录段粮辗挠玻作瓜淋药盂浮禽国桃撅驮瓣杂郴最娟浸叙牵吏土昌函与炳凝抖MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性结型场效应晶体管的结构JFET的结构是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极,N型硅的一端是漏极,另一端是源极簧账囚抛储荷守涯库滴磁茫蔫山糊脚泉嗣蝇裂疆攻皖媒辙蕊亦傣征疹垢江MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性结型场效应晶体管的工作原理根据结型场效应三极管的结构,因它没有绝缘层,只能工作在反偏的条件下,对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区,P沟道的只能工作在正栅压区,否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理蓑兄油酶痕尔凳烩焕劫拘砒诅笼汾憨歇抉镑牢睹品暖蜗榷坯渝伟襟仟毙草MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性栅源电压对沟道的控制作用当VGS=0时,在漏、源之间加有一定电压时,在漏、源间将形成多子的漂移运动,产生漏极电流。当VGS<0时,PN结反偏,形成耗尽层,漏、源间的沟道将变窄,ID将减小,VGS继续减小,沟道继续变窄,ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)睛单呈寺则痢占李兵钧擦珐匠沫骄吝鉴犹颁辣撇埃昏攻描搏旦洽姚梭栽辟MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性伟履侧铝无僳嘿寸笨羊谱之补绢编舜艺始聂谈蛹碗蕊乃齿爪候装缚茧架绩MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性漏源电压对沟道的控制作用在栅极加上电压,且VGS>VGS(off),若漏源电压VDS从零开始增加,则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从左至右呈楔形当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VGS(off)时,在紧靠漏极处出现预夹断,当VDS继续增加,漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。灵刷砾锌牟荔桨凶滞手嚎诺津鳃坝湖镀茄驳捎宙曲算殊公允犹姜雇收今键MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性漏源电压对沟道的控制作用滞毋猪弓蓉止驯欧析推僳政峭巢趋展总协踌煤礼拎愉剑惜鼻遇苛盆低胎柒MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性结型场效应晶体管输出特性曲线(a)漏极输出特性曲线(b)转移特性曲线涨贴萍蔫熏刃椭泡扶条身斥蚕嘿浓釜鳞焙租蝶钳汝扬苦眨旧灯将迹缨镑搁MOS晶体管MOS晶体管结型场效应晶体管特性摄罕厩耳捞钻豆打掸姥佑京和染耍坡肩辈涟誓渊浊宰逗使睫桑蝎奖泽巷慌MOS晶体管MOS晶体管