文档介绍：张正元
集成电路及微机械加工技术
-----半导体集成电路器件基础
(MOS部分)
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一、结型场效应管特性
二、MOS晶体管特性
三、薄膜电阻特性
目录
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结型场效应晶体管特性
结型场效应晶体管的结构
JFET的结构是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极,N型硅的一端是漏极,另一端是源极
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结型场效应晶体管特性
结型场效应晶体管的工作原理
根据结型场效应三极管的结构,因它没
有绝缘层,只能工作在反偏的条件下,对
于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区,P沟道的只能工作在正栅压区,否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理
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结型场效应晶体管特性
栅源电压对沟道的控制作用
当VGS=0时,在漏、源之间加有一定电压时,在漏、源间将形成多子的漂移运动,产生漏极电流。当VGS<0时,PN结反偏,形成耗尽层,漏、源间的沟道将变窄,ID将减小,VGS继续减小,沟道继续变窄,ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)
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结型场效应晶体管特性
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结型场效应晶体管特性
漏源电压对沟道的控制作用
在栅极加上电压,且VGS>VGS(off),若漏源电压VDS从零开始增加,则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从左至右呈楔形
当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VGS(off)时,在紧靠漏极处出现预夹断,当VDS继续增加,漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。
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结型场效应晶体管特性
漏源电压对沟道的控制作用
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结型场效应晶体管特性
结型场效应晶体管输出特性曲线
(a) 漏极输出特性曲线(b) 转移特性曲线
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结型场效应晶体管特性
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