文档介绍：第二节半导体二极管PN结及其单向导电性二极管的伏安特性二极管的主要参数稳压管总目录下页沫崔锻焉狠拳弛曲搜硝摇粒承卒仟永级姜泪降貌陪稚旗恨遇搔恍栓七莽寻模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管-++++++++++++------------++++++++++++-----------空间电荷区内电场UD又称耗尽层,即PN结。最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡,PN结中总电流为零。内电场又称阻挡层,阻止扩散运动,却有利于漂移运动。硅约为(~)V锗约为(~)V一、PN结及其单向导电性扩散漂移下页上页首页催涛婴屯诌哄吗瘫宰纤哈膛炼瞪帅烁努捍挪痢泞搅益谍褥椅鲜颅志陛咏析模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管NP-++++++++++++-----------RV正向电流外电场削弱了内电场有利于扩散运动,不利于漂移运动。+-U耗尽层内电场UD-U外电场I称为正向接法或正向偏置(简称正偏,forwardbias)PN结处于正向导通(on)状态,正向等效电阻较小。下页上页首页兽凹衬百巫造棱陇砌型柔驱淬凛愁穆甩梅余母窃看蜜导盈士桥近玻纺彰您模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管+-U-++++++++++++-----------RV称为反向接法或反向偏置(简称反偏)一定温度下,V超过某一值后I饱和,称为反向饱和电流IS。结论:PN结具有单向导电性:正向导通,反向截止。内电场外电场UD+U空间电荷区外电场增强了内电场有利于漂移运动,不利于扩散运动。反向电流非常小,PN结处于截止(cut-off)状态。加反向电压I反向电流IS对温度十分敏感。下页上页首页动画PN贯膀乖诅钵制绘星姨茧秸俏使垛度柔拒响混漫獭苏扰钎暗胸字粥匆更炕赊模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管二、二极管的伏安特性阳极从P区引出,阴极从N区引出。:硅二极管和锗二极管。从管子的结构分:对应N区对应P区点接触型二极管,工作电流小,可在高频下工作,适用于检波和小功率的整流电路。面接触型二极管,工作电流大,只能在较低频率下工作,可用于整流。开关型二极管,在数字电路中作为开关管。二极管的符号阳极anode阴极cathode下页上页首页住妨切慑惦盏擅你疮恤赋陋尸捍惦炊故掘脐垃董健姆米锌沛皿剃屁颂故锹模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管302010I/mAUD/-I/μАO正向特性死区电压IsUBR反向特性+-***结割模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管当正向电压超过死区电压后,二极管导通,电流与电压关系近似指数关系。.1V左右死区电压:导通压降:正向特性下页上页首页孝尿甸独掣散盔斧纱嘴醇穗誉肄寻形鞍赚揣皱澄瞄椽栅坷苇棠桃间桩孕螟模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管反偏时,反向电流值很小,反向电阻很大,反向电压超过UBR则被击穿。IS反向特性UBR结论:二极管具有单向导电性,正向导通,反向截止。二极管方程:反向饱和电流反向击穿电压若U<0,且|U|>>UT,则I≈-IS式中:IS为反向饱和电流UT是温度电压当量,常温下UT近似为26mV。反向特性-2-4-I/μAI/mAU/V-20-100若U>>UT则下页上页首页涟岸蜘自垢污婿岁岔盒苦污绿衅踌凶滓靳斥辰匠犹权糖贝唱哈砰颗舷毁檬模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管三、二极管的主要参数最大整流电流IF指二极管长期运行时,允许通过管子的最大正向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限定。最高反向工作电压UR工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值,否则二极管可能被击穿。为了留有余地,通常将击穿电压UBR的一半定为UR。下页上页首页敛筛擎嗣望冻暇懊推倔蹄浸罢沏载版怂笆撂呀匿竞蚜拽壳腕观替演梗服廉模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管室温条件下,在二极管两端加上规定的反向电压时,流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。IR受温度的影响很大。最高工作频率fMfM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大,则二极管允许的最高工作频率愈低。下页上页反向电流IR首页渭旭晃拧氛肋缅策詹鸣更斯疹揽催腿铰粥蠕年呆艇少柄宾探酋珠钦酝驳友模电课件半导体二极管模电课件半导体二极管