文档介绍：第六章内存储器接口(6学时)
第四节 16位、32位及64位机存储器系统
现代计算机接口技术
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第一节内存储器件(2学时)
知识概述
第二节地址译码(2学时)
第三节内存储器扩展技术(2学时)
第一节内存储器件
内存储器概述
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现代计算机接口技术
—读和写。
2. 所有的存储芯片都设有地址引脚、数据引脚、读、写控制脚及片选脚。
内存储器的分类
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内存储器
ROM
双极RAM
MOS型RAM
掩模式ROM
可编程的ROM
可擦除PROM
RAM
SRAM
DRAM
EPROM
EEROM
一、随机存取存储器RAM
1. 双极型RAM
双极型RAM的主要特点:
存取时间短,通常为几纳秒到几十纳秒;
其集成度低、功耗大,而且价格也较高。
2. MOS型RAM
用MOS器件构成的RAM又可分为SRAM和DRAM。
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二、只读存储器ROM
1. 掩模式只读存储器
这种芯片存储的信息稳定,成本最低。适用于存放一
些可批量生产的固定不变的程序或数据。
2. 可编程ROM
用户可以读出其内容,但再也无法改变它的内容。
3. 可擦除的PROM
可擦除的PROM芯片因其擦除的方式不同可分为两类。
(1)一是通过是紫外线照射来擦除,这种用紫外线擦除
的PROM称为EPROM
(2)另外一种是通过电的方法来擦除,这种PROM称为EEPROM芯片内容擦除后仍可以重新对它进行编程,写入新的内容。擦除和重新编程都可以多次进行。
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存储器芯片的主要技术指标
1. 存储容量
存储器芯片的存储容量用“存储单元个数×每存储单元的位数”来表示。当计算机的内存确定后,选用容量大的芯片则可以少用几片,这样不仅使电路连接简单,而且功耗也可以降低。
2. 存取时间和存取周期
存取时间又称存储器访问时间,即启动一次存储器操作(读或写)到完成该操作所需要的时间。CPU在读写存储器时,其读写时间必须大于存储器芯片的额定存取时间。如果不能满足这一点,微型机则无法正常工作。
存取周期是连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间。若令存取时间为tA,存取周期为TC,则二者的关系为TC≥tA。
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3. 可靠性
目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间约为5×l06~l×108小时左右。
4. 功耗
使用功耗低的存储器芯片构成存储系统,不仅可以减少对电源容量的要求,而且还可以提高存储系统的可靠性。
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随机存取存储器的存储元及外部特性
一、静态存储器
1. SRAM的存储元
静态RAM的基本存储电路(即存储元)一般是由6个MOS管组成的双稳态电路,。
2. SRAM的外部特性
6264芯片是一个8K×8bit的CMOS SRAM芯片,。
A0~Al2:13根地址信号线。一个存储芯片上地址线的多少决定了该芯片有多少个存储单元。通常这13根地址线通常接到系统地址总线的低13位上,以便CPU能够寻址芯片上的各个单元。
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D0~D7:8根双向数据线。对SRAM芯片来讲,数据线的根数决定了芯片上每个存储单元的二进制位数。使用时,这8根数据线与系统的数据总线相连。
CS1 、CS2:片选信号线。
OE:输出允许信号。只有当为低电平时,CPU才能够从芯片中读出数据,通常与系统总线的MEMW相连。
WE:写允许信号。当WE为低电平时,允许数据写入芯片,通常与系统总线的MEMW相连。
其它引脚:Vcc为+5V电源,GND是接地端,NC表示空端。
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二、动态存储器
1. DRAM的存储元
。
2. DRAM的外部特性
,其引脚功能如下:
A0~A7:地址输入线。DRAM芯片在构造上的特点是芯片上的地址引脚是复用的。两次送到芯片上去的地址分别称为行地址和列地址。在相应的锁存信号控制下,它们被锁存到芯片内部的行地址锁存器和列地址锁存器中。
DIN和DOUT:芯片的数据输入、输出线。
RAS:行地址锁存信号。
CAS:列地址锁存信号。
WE:写允许信号。当它为低电平时,允许将数据写入。反之,当WE=l时,可以从芯片读出数据。
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