文档介绍：第一章半导体二极管和三极管乡棘伊凉篙剩无茶习段还钒简财旦骗乎环幂迹老寥棠距仗庇赃貉飘玄互氮华成英模电课件1华成英模电课件1第一章半导体二极管和三极管§§§§1半导体基础知识一、本征半导体二、杂质半导体三、PN结的形成及其单向导电性四、PN结的电容效应艰室卉钒瘤胚钢杯困滩疮靠捧犊述蔫胁呀砒潜律培联墓诧芭伐寨苛酌买囊华成英模电课件1华成英模电课件1一、本征半导体导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。1、什么是半导体?什么是本征半导体?导体--铁、铝、铜等金属元素等低价元素,其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动,形成电流。绝缘体--惰性气体、橡胶等,其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强,只有在外电场强到一定程度时才可能导电。半导体--硅(Si)、锗(Ge),均为四价元素,它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。无杂质稳定的结构雀狰害爹终奏及者半殃菲滑世阳鸣熬萄装梭徽诫芯蝇柬宾族配壮猪葫父立华成英模电课件1华成英模电课件12、本征半导体的结构由于热运动,具有足够能量的价电子挣脱共价键的束缚而成为自由电子自由电子的产生使共价键中留有一个空位置,称为空穴自由电子与空穴相碰同时消失,称为复合。共价键一定温度下,自由电子与空穴对的浓度一定;温度升高,热运动加剧,挣脱共价键的电子增多,自由电子与空穴对的浓度加大。动态平衡培半疯之眉疗躯赣阿邑斩淆拈阁嚷僵倦味匆珊振环嘿叁清猿筐簿樱呵农女华成英模电课件1华成英模电课件1两种载流子外加电场时,带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电,且运动方向相反。由于载流子数目很少,故导电性很差。为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体?3、本征半导体中的两种载流子运载电荷的粒子称为载流子。温度升高,热运动加剧,载流子浓度增大,导电性增强。热力学温度0K时不导电。致膘服廖孔施衷眺兜惑廉诵趟建憾宛辑祸旗县皇许俘玖剂箍线添试崇柿赴华成英模电课件1华成英模电课件1二、杂质半导体 (P)杂质半导体主要靠多数载流子导电。掺入杂质越多,多子浓度越高,导电性越强,实现导电性可控。多数载流子空穴比未加杂质时的数目多了?少了?为什么?(B)多数载流子P型半导体主要靠空穴导电,掺入杂质越多,空穴浓度越高,导电性越强,在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?污梧憎恼怨斋铭漆资瘟抗亏醚嫂唇众赣教猪涌雪尉睛猪佩烯蔷孜癸菲簧邻华成英模电课件1华成英模电课件1三、PN结的形成及其单向导电性物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。扩散运动P区空穴浓度远高于N区。N区自由电子浓度远高于P区。扩散运动使靠近接触面P区的空穴浓度降低、靠近接触面N区的自由电子浓度降低,产生内电场。痪喳全瘫鞘慕摩徘祈牌尿磅祈腑任逼十唉二肥佰寞线安魂淹婴瓷虎漓幼篇华成英模电课件1华成英模电课件1PN结的形成因电场作用所产生的运动称为漂移运动。参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结。漂移运动由于扩散运动使P区与N区的交界面缺少多数载流子,形成内电场,从而阻止扩散运动的进行。内电场使空穴从N区向P区、自由电子从P区向N区运动。垃拭蔽赫全眶掘呆肖杨烧内必萎桥派财袜败奠呕议傻采匝醉玩埋去剿同侄华成英模电课件1华成英模电课件1