文档介绍：一、填空题ⅧB(2分)弱范德瓦耳斯键氢键(2分)一维缺陷两小位错(2分)面心立方密排六方hcp(2分)(2分)固溶体中间相(2分)连续生长平面式树枝(2分)成分不均匀宏观偏析微观偏析(2分)树枝晶低大(2分)高小大(2分)二、做图题1.(5分)2.(5分)三、判定下列位错反应能否进行,并说明理由。(4分)满足(1)但是不满足(2)(2分),故不能反应。(2分)四、常温下,,分别求出(100)、(111)、(123)的晶面间距,并指出它们中晶面间距最大的晶面。=(2分)=(2分)=(2分)显然,最大。(2分)五、答:ΔGV=–ΔHfΔT/Tm(2分)r*=,(2分)ΔG*=πr*3ΔGV+4πr*2×σ=π()2×σ(1分)代入已知数据,可得 ΔT=100℃,r*=,ΔGV=-×106J/m3, ΔGr*=×10-19J。(3分)六、解答:经推导,其溶质分布方程为:七、解答:在切应力作用下,在位错线两个端点附近,角速度增加,位错线卷曲,位错环再继续扩展时,两端点的位错线段会相遇,它们是柏氏向量相反的两个螺位错或刃位错,在相互抵消后,位错环就不受固定端点的约束自由运动了。(3分)位错线CD在切应力作用下,可以不断重复上述过程,—R源。(3分)F-R开动后并不是永远不断地放出位错,当位错遇有障碍,如晶界、L-C锁等,位错塞积后应力集中就可对位错源有一反作用力,使位错源停止动作。(2分)八、Fe-Fe3C相图进行分析1)(2分),包晶反应(1分)(2分),共晶反应(1分)(2分),共析反应(1分)δ(bcc)、α(bcc)(3分)、γ(fcc)、Fe3C(复杂正交晶系)(3分)2)(6分)3)%C中组织组成物的相对含量:(4分)(1分)4)(4分)