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08/09材料科学基础（B）参考答案暨评分标准
一、填空题
1. WB （2 分）
2. 弱范德瓦耳斯键氢键（2分）
3. 一维缺陷两小位错（2分）
4. 面心立方密排六方 hep （2分）
5. I （2 分）
6. 固溶体中间相（2分）
7. 连续生长平面式树枝（2分）
8. 成分不均匀宏观偏析微观偏析（2分）
9. 树枝晶低大（2分）
10. 高小大（2分）
二、做图题
三、判定下列位错反应能否进行，并说明理由。
Il] + y[lll]-a[001]
所有自发的位错反应必须满足两个条件：
（1）儿何条件 EbL%
（2）能量条件£临〉宓会（4分）
满足（1）但是不满足（2）（2分），故不能反应。（2分）
四、常温下，,分别求出（100）、（111）、（123）的晶面间距，并指出它们中晶面间距最大的晶面。
dhU = a/[h2 + > + 叮〃
d（ioo）
=a =
（2分）
d（iii）
— al V3 =
（2分）
'(123)
— al V14 =
（2分）
显然,
d（ioo）= Q 取大。
（2分）
五、答：AGV= -AH/A T/ Tm
（2分）
2（y「Tm
,（2 分）
4 4 2（7* • Tm
JG*= - Ttr^/iG^nr*- x<7= - ）2xo （1 分）
3 3 •AT1
代入已知数据，可得
AT=100°C, r*=, AGv=- , AGr*='19J« （3 分）
六、解答：
经推导，其溶质分布方程为：
CL（Z）=a（与主（4分）
1 ― -J- （ 4 分）
七、解答：
在切应力作用下，在位错线两个端点附近，角速度增加，位错线卷曲，位错环再继续扩展时，两端点的位错线段会相遇，它们是柏氏向量相反的两个螺位错或刃位错，在相互抵消后，位错环就不受固定端点的约束自由运动了。（3分）
位错线CD在切应力作用下，可以不断重复上述过程，种位错线段就叫做F—R源。（3分）
F-R开动后并不是永远不断地放出位错，当位错遇有障碍，如晶界、L-C锁等，位错塞积后应力集中就可对位错源有一反作用力，使位错源停止动作。（2分）
八、 Fe-Fe3C相图进行分析
1495°C
1） Lb + Sh T Yj （2分），包晶反应（1分）
1148°C
Lc。yE+F