文档介绍：:势垒电容形成的机理;导出突变结、线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。(-V)的变化时,势垒区宽度发生变化,使势垒区中的空间电荷也发生相应的Q的变化。P区N区PN结势垒微分电容CT的定义为简称为势垒电容。(2-126)由于xp与xn远小于势垒区总宽度xd,所以可将这些变化的电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。这时PN结势垒电容就像一个普通的平行板电容器一样,所以势垒电容CT可以简单地表为有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。(2-127),(2-130)根据势垒电容的定义,突变结的势垒区总宽度xd可以表为将上式代入平行板电容器公式可以得到与式(2-130)相同的结果,即对于P+N单边突变结,对于PN+单边突变结,可见,CT也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。当外加较大反向电压时,可将Vbi略去,,实际扩散结势垒电容CT的计算方法二:将实际扩散结近似看作单边突变结或线性缓变结,然后用相应的公式进行计算。方法一:查曲线(附录中的附图1)。,则可近似看作线性缓变结,在计算CT时需要已知在结深xj处的杂质浓度梯度a(xj)。这时应先通过求解方程或查图2-46求得xj,也可直接查图2-48得到a(xj)。当结两侧掺杂浓度相差很大,N0很小,a很大,xj很小,xd很大(反向电压很大)时,可近似看作单边突变结,在计算CT时需要已知低掺杂一侧的杂质浓度,即衬底浓度N0。再由下式求出a(xj),图2-48