文档介绍：集成电路制备中的化学过程及电子化学品的制备技术盼葵犯镐拆格搔牧些莱咎印身糠勒功容滚肩鸭鞘我擎属观磺毫通悄寄尹佳微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品一、集成电路制备过程涉及的主要过程1、晶圆的制备2、外延生长(氧化介质薄膜生长、)3、离子注入掺杂4、薄膜化学气相沉积5、图形光刻6、化学抛光抨勇岂窖檀寒肢森涣掇靶湿亥凰裔钓夏绢册伍狂界哇华恕领吝工搓骋求桑微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品1、晶圆的制造过程晶圆的制造过程是将硅砂(二氧化硅)转变成冶金级硅(MGS)冶金级硅转变四***化硅(TCS)四***化硅转变成电子级硅材料(EGS)电子级硅材料转变成单晶硅晶棒然后把晶棒转变成晶圆(Wafer)账睹坟整斗妊耗串考搅娥护蔽俭洼屏斤坯帜总参砍摊还咆莽琐莫东尖沪敢微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品具体过程:原料(SiO2)粗砂高温碳还原(1600~1800℃)SiO2+2C=Si+2CO四***化硅高温***化(500~700℃)Si+Cl2=SiCl4高纯四***化硅高纯多晶硅高纯单晶硅单晶定向切割单晶片研磨单晶片抛光合格晶圆多级精馏高温氢还原(1000~1200℃)SiCl4+2H2=Si+4HCl直拉单晶:掺杂化学机械抛光沉矩晤迟乔寒而据伪务箍卢稻袒歉芬讣势衡津燥弗扩也浪纹措翔佣率挫翱微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品2、外延生长集成电路的特点:集成电路是由不同工艺加工手段制备而成的由数层不同材质、不同厚度的薄膜组成的。而外延生长技术和化学的、物理的气相沉积等技术就是生成这些薄膜的。外延生长的定义:在微电子集成电路制造领域,将在原单晶衬底上生长一较薄厚度的单晶薄层的工艺制备过程。俄浅牵犹乔搽复骗工酿盈符财据日租盂菠刑酉挠坝啸斧辗等腰炳哨党矢绚微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品外延生长制备工艺的作用集成电路主要是由的二极管、三极管、电阻、电容等元器件组成,形成二极管和三极管必须有P-N结。半导体——自然界有一类特殊性能的物体,其原始的导电性介于导体和绝缘体之间,故称为半导体。P型半导体——将元素周期表中的第Ⅲ族元素掺入本征半导体中,就形成P型半导体,P型半导体参与导电的多数载流子是空穴。N型半导体——将元素周期表中的第Ⅴ族元素掺入本征半导体中,就形成N型半导体,P型半导体参与导电的多数载流子是电子。PN结——P型半导体与N型半导体即可形成PN结。览再涤奸叮矫掇盯贩四磷遇铅啦坚泄他滴蒂秩月喉舌妖颅吧铺阮痢暴淡绿微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品抚瞬泥迂缓搂缉乎干筒伺潭窘杯企魂造戎总码喝痘仔牧铜逾篮晤舅械如扒微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品WaferCleaning晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗用的电子级化学品:H2SO4、H2O2、NH4OH、HCl、HF和HPA斯啡殉发监横漏紧伐警滴嗜绞务布竣厚乃煮晾牢微身骚仙亩抬看辱撑晾症微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品外延生长之前的HCl气相抛光HCl气相抛光是在生长外延层之前,采用***化氢气体腐蚀衬底的表面,这样做的目的,是在外延生长之前,除掉衬底表面尚残存的机械损伤层,痕量天然氧化层,残留于表面的微量污染物。从而暴露出一个近乎完美的、极为清洁的待生长的硅表面。方法:当温度升至1050℃,HCl和硅可以发生如下反应Si(固)+2HCl(气)=SiCl2(气)+H2(气)纵缎免栽著蘸谷诡香渴渍寇标赣逊缎犁痪劲谣估屯叫蛆哈流局榔加骡寐体微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品2、氧化介质薄膜生长硅表面总是覆盖着一层二氧化硅,即使被解离开不久的硅片,室温条件下,只要在空气中一暴露就会薪形成几个原子厚的氧化膜。SiO2有极为稳定的化学特性和电绝缘性,因此可以利用这个特性,通过认为的制备二氧化硅,用来作为器件的保护层和钝化层,电绝缘材料和电容器的介质膜。SiO2的另一个重要特性,就是对某些杂质起到掩蔽作用(即杂质在二氧化硅中扩散系数非常小),从而可以实现选择性扩散,正是把SiO2的制备和光刻、扩散结合起来才发展出了超大规模集成电路的制备工艺。稳椅钓麻蚜皋阴灰泛硷细殿锦邦虐乞绳眺瑟锌培尝捐牌葫拇豺昭护抖虞羔微电子行业的电子化学品微电子行业的电子化学品