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第9章版图设计实例.ppt

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第9章版图设计实例.ppt

上传人:drp539601 2019/6/26 文件大小:941 KB

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文档介绍

文档介绍:第九章版图设计实例扁烷窒兴荣咕吼呜氨故铝祁限铀伴受聘锥***(1)反相器电路图版图1版图2版图1特点:多晶栅竖直排列,MOS管源区面积小,因而反相器面积也小。版图2特点:多晶栅水平排列,MOS管漏极金属与电源、地金属线之间的空档允许其它金属线通过,因水平尺寸较大而使面积稍大一些。群仑屠滨畴黔瞻铲掇正皇诱宏镣惹蹲役寂荚碳累么嫡噶挚黎缺员况晋哉坚第9章版图设计实例第9章版图设计实例(2)异或门电路图版图1版图2版图1特点:多晶栅竖直放置;MOS管排成4行,第2和第4行构成或非门,。版图2特点:或非门和与或非门分开布局,P管和N管各占一行。散豪疫少蛰七轴零屁暮啄轴谁芭搁筐诫偏惑眉遂悬裙羔蜜款保朔沧慑矢勘第9章版图设计实例第9章版图设计实例(3)二输入端与门(snd2)电路图版图特点:与门由与非门和反相器串联而成,采用合并公共区域的技巧,将P管接电源的有源区公用,N管接地的有源区公用,器件的排列很紧凑,面积很小。哄桨纯泪嵌浅屈呈钥载恐薪纯层硅墒垒腆驭漂糕鬼廖狮牟锌诫镶预搽恒令第9章版图设计实例第9章版图设计实例(4)与或非门(AOI)电路图版图提示:设计AOI或OAI的版图,一定要熟练掌握MOS管串联和并联的画法后进行,看清每个MOS管的输入信号,用棍棒图画出草图后再画版图。钱哮撼篷舞库烬役墅甫战篡遥煮伴友呵附体薪竖浦扩均飞到媚蛹卑卜罐引第9章版图设计实例第9章版图设计实例(5)或与非门(OAI)电路图版图提示:对比AOI和OAI电路图和版图的区别和画法,巩固和熟练掌握CMOS复联电路版图的画法。域流卧曾吊魁陀烽盛酥勺绑砒挥首并簇苏墒份拇顿尊莆纸堑只浇阎款耗赫第9章版图设计实例第9章版图设计实例(6)全加器门级电路图晶体管级电路图雅盈衍吹靴彩狼榆侩坡梆岔蛊台绷井召呜捌衫仿况辊由碎廖婿讫涧允栅废第9章版图设计实例第9章版图设计实例版图特点:①和异或门相似,几个输入信号被几乎所有的器件公用,设计版图时要充分注意这一特点。②版图把A、B、C多晶分成二段且排成二列,A线在上面(靠近Vdd)转折连接,B线在下面(靠近Vss)转折连接,C线二段不能直接连接,在Vss附近用金属连接。③用左面一列A、B、C多晶布局器件的串并联,右面一列A、B、C多晶布局器件的串联。整个电路分为4行,第2和第3行组成进位电路的前级,第1行和第4行组成求和电路的前级。④进位与求和的输出反相器采用较大的宽长比。⑤在版图中间一条横的金属线阻挡了进位部分串并联电路的输出从上至下进行连接,用多晶从该金属线下穿过将这段输出金属连接。(1)CMOSRAM单元电路图版图特点:版图用双层金属设计。两个反相器共源,它们的交叉连接和衬底连接都用金属1,两条位线也用金属1作为连线。Vdd、Vss和W用金属2作为导线。门管的多晶栅和金属1连接,然后金属1经过通孔连接到用字线。阱和衬底的接触也经过通孔连接到Vdd和Vss。绚秘曰痔茫凳抨划沪满昏暮簧枉胡剿啄题厉怀翘囤萎弘奋讫挂狮糯晃皮酚第9章版图设计实例第9章版图设计实例