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材料物理性能期末复习重点-田莳.doc

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材料物理性能期末复习重点-田莳.doc

上传人:小博士 2019/8/6 文件大小:323 KB

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文档介绍

文档介绍::..,微观粒子在不同条件下分别表现出波动或粒子的性质。这种量子行为称为波_E J粒二象性。“=¥ ,是一种具有统计规律的几率波,它决定电子在空间某处出现的几率,在t时刻,几率波应是空间位置(x,y,z,t)的函数。此函数称波函数。其模的平方代表粒子在该处出现的概率。血表示t时刻、(x、y、z)处、单位体积内发现粒子的几率。。dN为E到E+dE范围内总的状态数。代表单位能量范围内所能容纳的电子数。,,被一个电子占据的儿率f(Q为:人伍卜一^耳一-T电了的费米分布函数1 1+宀K。为玻尔玆园常数,Ef为个类似J•积分帝•数的个待定常数•称为费米能级。(如电子系统)屮屈于能lie的一个址了态被一个电r占据的概率u若EvEp,则f(E)=l:若E>Ep则F(E)=O。108 TMk1 T・WWG —席-T>OK:・若E=Ek,Wf(E)=l/2;04若E<Ep>则f(E)>l/2;A)若E>E卜,则f(E)v"2;0 0102E刖费米分布函此池度的关JR在0K吋,能量小于或等于费米能的能级全部被电子占满,能量大于费米能级的全部为空。故费米能是0K时金屈基态系统电子所占有的能级最咼的能量。,并设想每个电子是在固定的原子核的势场及其他电子的平均势场屮运动,称单电子近似。用单电子近似法处理晶体中电子能谱的理论,称能带理论。6•导体,绝缘体,半导体的能带结构根据能带理论,晶体中并非所有电子,也并非所有的价电子都参与导电,只有导带中的电子或价带顶部的空穴才能参与导电。从下图可以看出,导体中导带和价带之间没有禁区,电子进入导带不需要能量,因而导电电子的浓度很大。在绝缘体中价带和导期隔着一个宽的禁带Eg,电子由价带到导带需要外界供给能量,使电子激发,实现电子由价带到导带的跃迁,因而通常导带中导电电子浓度很小。半导体和绝缘体有相类似的能带结构,只是半导体的禁带较窄(E小),。当施加电压于导体的两时,其电荷载子会呈现朝某方向流动的行为,因而产生电流。电导率b是以欧姆定律定义为电流密度J和电场强度E的比率:J-eEK=\,离子热振动的振幅增大,电子就愈易受到散射,当电子波通过一个理想品体点阵时(0K),它将不受散射;只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方,电子被才受到散射(不相干散射),这就是金属产生电阻的根本原因。由于温度引起的离子运动(热振动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示),以及晶体中界类原于、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。这样,电子波在这些地方发生散射而产生电阻,降低导电性。金属电阻率在不同温度范围与温度变化关系不同。一般认为纯金屈在整个温度区间产生电阻机制是电子-声子(离子)散射。在极低温度下,电子-电子散射构成了电阻产生的主要机制。金属融化,金属原子