文档介绍：西安电子科技大学
硕士学位论文
GaN微波及THz功率器件设计与工艺研究
姓名:王中旭
申请学位级别:硕士
专业:微电子学与固体电子学
指导教师:杨林安
20100101
特性以及主要是交流特性的测试,对比了不同栅宽下綠异质结摘要原则和影响因素,据此设计了不同栅宽的疉异质结脏器件,给出本文从笳た鞨骷纳圃旌蚎烈基耿氏二极管的结构设另一方面对⑹隙ü艿哪诓抗ぷ骰斫辛死砺垩芯坑绕涫枪⑹隙极管赖以工作的机理速场关系模型,掺杂浓度和渡越区长度的关系结合以前的研区长度之积在两条临界线之间的区域才能产生耿氏振荡。并且利用模拟软件工作结构进行模拟仿真对比得出在两种相同的工作结构下⑹隙ü鼙却统耿氏二极管在工作频率和输出功率上都远远优秀。新型二次退火工艺能够改善欧姆接触形貌,并且对比两种不同的工艺步骤可以看水在制作欧姆接触之前对溅射区域进行表面处理,经过实验,对比了使用王水对欧姆接触区域进行沸煮处理和使用浓约安皇褂盟嵝匀芤捍恚馊植煌水沸煮这种新型工艺步骤能够有效的降低欧姆电阻的比接触电阻率,提高器件性关键词:笳た鞨⑹隙ü埽琓,欧姆接触计和关键工艺等方面进行了详细的研究。一方面对疉异质结大栅宽的结构进行了制造,并且根据理论的分析推测其工作在高频大功率的设计了制备大栅宽的工艺步骤和方法以及制备后器件管芯图和经过封装连接后的完整器件图,并且对不同栅宽的疉异质结进行了直流的工作参数。究进行了总结拟合得出了设计制造⑹隙ü艿脑蛑挥胁粼优ǘ扔攵稍ⅲ珹对⑹隙ü芎痛车腉⑹隙ü芏杂谛戮闪街窒嗤并且针对制造⑹隙ü艿闹饕9丶侍釭的欧姆接触问题,提出了两种改进欧姆接触制造的新型工艺方法以减小欧姆电阻的比接触电阻率这一影响⑹隙ü艿闹饕2问R恢质切滦偷亩瓮嘶鸸ひ眨眯碌母呶露次快速退火工艺我们对比与传统退火工艺后的欧姆接触形貌图对比明显可以看出出新型的二次退火工艺能够显著降低欧姆接触电阻率。另一种是采用新型溶液王的方法制作出的欧姆接触的比接触电阻率的大小。通过数据可以明显看出通过王能。
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本学位论文属于保密在一年解密后适用本授权书。日期壅篫:堕创新性声明关于论文使用授权的说明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位论文与资料若有不实之处,本人承担一切相关责任。本人签名:本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。C艿穆畚在解密后遵守此规定日期盟坦:三。导师签名:
第一章绪论牧系慕樯牧暇哂辛己玫牡缪匦浴.。浚缈淼慕矶龋呋鞔┑绯。细叩热导率,耐腐蚀,抗辐射等,被誉为是继第一代、半导体材料、第二代、衔锇氲继宀牧现蟮牡谌氲继宀牧希侵谱鞲咂怠⒏呶隆⒏哐埂⒋蠊率电子器件和短波长、大功率光电子器件的理想材料。闕怯蒍等人于年合成的一种Ⅲ.寤衔锇氲继宀牧希捎晶体获得困难,所以对它的研究未得到很好的进展。在年代,用Ⅱ甐族化合物材料制成激光器之后,才又对难芯坎巳ぁ辏琈和晒χ票赋隽说ゾ晶体薄膜,给这种材料带来了新的希望。但在此后很长时期内,牧嫌捎谑艿矫挥泻鲜实某牡撞牧稀型本底浓度太高和无法实现筒粼拥任侍獾睦牛故只郝=甏岳矗捎诨撼宀慵际醯采用和筒粼蛹际醯耐黄疲訥的研究热潮在全世界蓬勃发展起来,并且取得了辉煌的成绩。羌榷ǖ幕衔铮质羌嵊驳母呷鄣悴牧希鄣阍嘉具有高的电离度,在Ⅲ.寤衔镏惺亲罡叩摹T诖笃沽ο拢较诵靠蠼峁笹晶体,它在一个元胞中有鲈樱犹寤笤嘉狦囊话搿R蛭F溆捕雀撸又是一种良好的涂层保护材料。在室温下,蝗苡谒⑺岷图睿谌鹊募钊液中以非常缓慢的速度溶解。贖、气或高温下呈现不稳定特性,而在气下最为稳定。表是牧嫌肫渌氲继宀牧系牟问冉稀4痈飨畈问锌梢钥闯鯣材料参数具有明显的优点:其禁带宽度最宽,饱和电子速度也优于其它半导体材料,并具有很大的击穿场强和较高的热导率。第一章绪论
棚织蛐襞岛肛;牧细咂倒β视τ玫挠攀速度依Ⅳ微波/毫米波器件和电路是当今微电子技术的一个重要发