文档介绍：完整的晶片晶片的横截面横截面放大晶片11-N阱(N-Well)N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶版图剖面图P型衬底N阱掩膜版氧化层光刻胶N阱掩膜版21-N阱(N-Well)N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶曝光N阱掩膜版显影N阱区域暴露版图剖面图P型衬底氧化层光刻胶N阱掩膜版N阱掩膜版31-N阱(N-Well)N阱的制作衬底上生长SiO2涂敷光刻胶曝光N阱掩膜版显影N阱区域暴露N型离子注入磷离子等去除光刻胶版图剖面图P型衬底N阱磷离子注入N阱掩膜版42-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜版P阱掩膜版P阱掩膜版氧化层光刻胶52-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜版P阱掩膜版P阱掩膜版氧化层光刻胶62-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露P型离子注入硼离子等去除光刻胶版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜版P阱掩膜版P阱硼离子注入72-P阱(P-Well)P阱的制作涂敷光刻胶曝光P阱掩膜版显影P阱区域暴露P型离子注入硼离子等去除光刻胶刻蚀氧化层版图剖面图P型衬底N阱N阱掩膜版P阱掩膜版P阱83-有源区(Active)有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶有源区掩膜版有源区掩膜版SiN光刻胶P型衬底N阱P阱P阱版图剖面图93-有源区(Active)有源区的制作淀积SiN在SiN上涂敷光刻胶曝光有源区掩膜版显影有源区暴露有源区掩膜版有源区掩膜版SiNP型衬底N阱P阱光刻胶版图剖面图10